[发明专利]薄膜晶体管的制作方法及阵列基板的制作方法

摘要

本发明提供了一种薄膜晶体管的制作方法，其中形成背沟道的方法包括步骤：S21、在栅极绝缘层上叠层制作有源材料膜层、源漏极材料膜层和光阻材料膜层，获得蚀刻基板；S22、对蚀刻基板依次进行一次湿法蚀刻、一次干法蚀刻和烧光阻、二次湿法蚀刻，形成源漏极和光阻层；S23、采用第一刻蚀气体蚀刻有源材料膜层，形成背沟道；S24、采用第二刻蚀气体去除光阻层，获得薄膜晶体管。根据本发明的制作方法在进行背沟道蚀刻时可避免使用铜剥离液，而是通过合理搭配多种刻蚀气体的组分、用量等，在完成背沟道蚀刻和去光阻的同时，还避免了现有技术中的铜离子扩散以及铜剥离液中其他杂质离子的污染问题。本发明还提供了上述制作方法在阵列基板中的应用。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制作方法，包括步骤：S1、在衬底上依次制作栅极和栅极绝缘层；S2、在所述栅极绝缘层上叠层制作有源层和源漏极，并刻蚀所述源漏极间的有源层以形成背沟道，获得薄膜晶体管；其特征在于，所述步骤S2的具体方法包括下述步骤：S21、在所述栅极绝缘层上叠层制作有源材料膜层、源漏极材料膜层和光阻材料膜层，获得蚀刻基板；S22、对所述蚀刻基板依次进行一次湿法蚀刻、一次干法蚀刻和烧光阻、以及二次湿法蚀刻，在所述有源材料膜层上形成源漏极和光阻层；S23、采用第一刻蚀气体蚀刻所述源漏极之间的有源材料膜层，形成所述背沟道；其中，所述第一刻蚀气体为体积比为1:6～1:2的SF6、CF4或C2HF5中的至少一种与Cl2的混合气体，所述第一刻蚀气体的压强为30mtorr～120mtorr；S24、采用第二刻蚀气体去除所述光阻层，获得所述薄膜晶体管；其中，所述第二刻蚀气体为体积比为2:1～4:1的O2和He的混合气体，所述第二刻蚀气体的压强为30mtorr～90mtorr。