[发明专利]薄膜晶体管的制作方法及阵列基板的制作方法

说明书

本发明提供了一种薄膜晶体管的制作方法，其中形成背沟道的方法包括步骤：S21、在栅极绝缘层上叠层制作有源材料膜层、源漏极材料膜层和光阻材料膜层，获得蚀刻基板；S22、对蚀刻基板依次进行一次湿法蚀刻、一次干法蚀刻和烧光阻、二次湿法蚀刻，形成源漏极和光阻层；S23、采用第一刻蚀气体蚀刻有源材料膜层，形成背沟道；S24、采用第二刻蚀气体去除光阻层，获得薄膜晶体管。根据本发明的制作方法在进行背沟道蚀刻时可避免使用铜剥离液，而是通过合理搭配多种刻蚀气体的组分、用量等，在完成背沟道蚀刻和去光阻的同时，还避免了现有技术中的铜离子扩散以及铜剥离液中其他杂质离子的污染问题。本发明还提供了上述制作方法在阵列基板中的应用。

技术领域

本发明属于液晶显示器制造技术领域，具体来讲，涉及一种薄膜晶体管的制作方法，以及基于该薄膜晶体管的制作方法来制作阵列基板的方法。

背景技术

随着显示技术的不断发展，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display，TFT-LCD)由于具有体积小、功耗低、无辐射等优点，在平板显示领域中占据了主导地位。随着人们对显示器分辨率和画面刷新速率的追求越来越高，新材料和新工艺的发展也迫在眉睫。

目前传统导电层金属材料主要以铝和钼为主，铝和钼的优点在于成膜工艺简单，黏附性和平坦性较好，不容易发生爬坡断线，而且不容易扩散。对于小尺寸和低分辨率的面板而言，铝是首选的理想导电金属材料。由于铝的电阻率相对较大，因此对于大尺寸和高分辨率而言，就不能满足需求了。作为导电金属材料，铜的导电率要远远优于铝；对于55寸的UHD显示屏，采用铜取代铝作为导电金属材料，其面板分辨率可以提升35.2％，亮度可以提高32％，同时画面闪烁和线负载都能大大降低。因此针对目前高分辨率面板的市场需求，使用铜将取代铝应用到未来的显示面板中。

传统的背沟道刻蚀型TFT一般采用4mask阵列基板工艺来完成，但是，在上述工艺中，铜金属布线工艺的难点是高温制程下铜离子的扩散以及铜剥离液在去光阻制程中易污染背沟道，由此会导致TFT器件中背沟道漏电问题明显，且受制于铜剥离液配方以及耗用量的影响而大幅增加生产成本，从而致使铜制程尚未完全取代铝而应用到平板显示面板中。

目前主要解决方式是通过TFT器件中背沟道蚀刻制程条件持续优化，如最后采用O₂/SF₆混合气体干法灰化去除这些污染物，并严格控制TFT器件中背沟道蚀刻后下制程等待时间，致使生产条件严苛进而增加量产的难度。因此有必要开发一种全新的背沟道蚀刻制程来解决上述问题。

发明内容

为解决上述现有技术存在的问题，本发明提供了一种薄膜晶体管的制作方法，该制作方法在进行背沟道蚀刻时可避免使用铜剥离液，而是通过合理搭配多种刻蚀气体的组分、用量等，在完成背沟道蚀刻和去光阻的同时，还避免了现有技术中的铜离子扩散以及铜剥离液中其他杂质离子的污染问题。

为了达到上述发明目的，本发明采用了如下的技术方案：

一种薄膜晶体管的制作方法，包括步骤：S1、在衬底上依次制作栅极和栅极绝缘层；S2、在所述栅极绝缘层上叠层制作有源层和源漏极，并刻蚀所述源漏极间的有源层以形成背沟道，获得薄膜晶体管；所述步骤S2的具体方法包括下述步骤：

S21、在所述栅极绝缘层上叠层制作有源材料膜层、源漏极材料膜层和光阻材料膜层，获得蚀刻基板；

S22、对所述蚀刻基板依次进行一次湿法蚀刻、一次干法蚀刻和烧光阻、以及二次湿法蚀刻，在所述有源材料膜层上形成源漏极和光阻层；