[发明专利]薄膜晶体管的制作方法及阵列基板的制作方法有效
| 申请号： | 201711239623.4 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108022875B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 孙涛 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/306;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制作方法 阵列 | ||
1.一种薄膜晶体管的制作方法，包括步骤：
S1、在衬底上依次制作栅极和栅极绝缘层；
S2、在所述栅极绝缘层上叠层制作有源层和源漏极，并刻蚀所述源漏极间的有源层以形成背沟道，获得薄膜晶体管；
其特征在于，所述步骤S2的具体方法包括下述步骤：
S21、在所述栅极绝缘层上叠层制作有源材料膜层、源漏极材料膜层和光阻材料膜层，获得蚀刻基板；
S22、对所述蚀刻基板依次进行一次湿法蚀刻、一次干法蚀刻和烧光阻、以及二次湿法蚀刻，在所述有源材料膜层上形成源漏极和光阻层；
S23、采用第一刻蚀气体蚀刻所述源漏极之间的有源材料膜层，形成所述背沟道；其中，所述第一刻蚀气体为体积比为1:6～1:2的SF6、CF4或C2HF5中的至少一种与Cl2的混合气体，所述第一刻蚀气体的压强为30mtorr～120mtorr；
S24、采用第二刻蚀气体去除所述光阻层，获得所述薄膜晶体管；其中，所述第二刻蚀气体为体积比为2:1～4:1的O2和He的混合气体，所述第二刻蚀气体的压强为30mtorr～90mtorr。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述光阻层的尺寸大于所述源漏极的尺寸。
3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体的流量为1000sccm～8000sccm，通入时间为60s～120s。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第二刻蚀气体的流量为4000sccm～12000sccm，通入时间为30s～90s。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，当所述第一刻蚀气体为SF6与Cl2的混合气体时SF6与Cl2的体积之比，小于当所述第一刻蚀气体为CF4和/或C2HF5与Cl2的混合气体时CF4和/或C2HF5与Cl2的体积之比。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述步骤S21中，通过半色调掩膜法在所述源漏极材料膜层上制作所述光阻材料膜层。
7.根据权利要求1或6所述的制作方法，其特征在于，所述光阻材料膜层的材料为负性光刻胶。
8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，至少包括如权利要求1-7任一所述的薄膜晶体管的制作方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
