[发明专利]NAND存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201711236924.1 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107887395B | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 胡禺石;吕震宇;陶谦;陈俊;杨士宁;杨伟毅 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种NAND存储器，包括：等级层堆栈、NAND串、共源触点和源端导电层；所述等级层堆栈包括由导体层和绝缘层交替堆叠形成的导体/绝缘体叠层；所述NAND串和所述共源触点在垂直于所述等级层堆栈中的导体层或绝缘层的第一方向上延伸贯穿所述等级层堆栈；所述源端导电层覆盖所述等级层堆栈，并与所述NAND串第一端和所述共源触点的第一端接触，所述NAND串和所述共源触点通过所述源端导电层形成电性连接；所述源端导电层的导电区由金属、金属合金和金属硅化物中的一种或多种的组合构成。本发明旨在提高器件的操作速度以及外围器件对存储块的源端的驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | nand 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种NAND存储器，其特征在于，包括：等级层堆栈、NAND串、共源触点和源端导电层；所述等级层堆栈包括由导体层和绝缘层交替堆叠形成的导体/绝缘体叠层；所述NAND串和所述共源触点在垂直于所述等级层堆栈中的导体层或绝缘层的第一方向上延伸贯穿所述等级层堆栈；所述源端导电层覆盖所述等级层堆栈，并与所述NAND串的第一端和所述共源触点的第一端接触，所述NAND串和所述共源触点通过所述源端导电层形成电性连接；所述源端导电层的导电区由金属、金属合金和金属硅化物中的一种或多种的组合构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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