[发明专利]高温材料填充剂碳化硅晶须的生产装置在审
| 申请号： | 201711226689.X | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108239781A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 彭飞 | 申请（专利权）人： | 成都蒙特斯科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B1/10 | 分类号： | C30B1/10;C30B29/36;C30B29/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 高温材料填充剂碳化硅晶须的生产装置，主要包括：真空泵(J101)、缓冲罐(F101)、燃烧炉(B101)，生产装置各个组成部分之间的连接关系为：真空泵(J101)与缓冲罐(F101)相连接，缓冲罐(F101)与燃烧炉(B101)相连接，其中，真空泵(J101)叶轮直径120‑125mm。 | ||
| 搜索关键词： | 生产装置 缓冲罐 真空泵 碳化硅晶须 高温材料 燃烧炉 填充剂 叶轮 连接关系 | ||
【主权项】：
1.高温材料填充剂碳化硅晶须的生产装置，其特征在于，主要包括：真空泵(J101)、缓冲罐(F101)、燃烧炉(B101)，生产装置各个组成部分之间的连接关系为：真空泵(J101)与缓冲罐(F101)相连接，缓冲罐(F101)与燃烧炉(B101)相连接，其中，真空泵(J101)叶轮直径120‑125mm。
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- 吉晓莉;吴事江;王浩;陈卓;翟成成;王先海 - 武汉理工大学
- 2012-09-18 - 2012-12-26 - C30B1/10
- 本发明采用硬脂酸法制备了大小均匀、结晶和形貌良好的超细层状四钛酸钾晶须，晶须直径为0.8～1.2μm,长径比超过20，主要原料是硬脂酸、硝酸钾、钛酸乙酯。该方法是：利用硬脂酸的低熔点性(80℃)、分散性和作为一种反应介质，将反应物熔融于硬脂酸中，然后燃烧除去大部分有机物，再进行高温焙烧的一种合成方法，其中硬脂酸在合成过程中既作为分散剂使反应物原料达到分子水平上的混合；也作为反应物与反应物原料中的K+、Ti4+发生配位作用。本发明具有工艺操作简单、焙烧温度低(800～950℃)、反应时间短(2～5h)、纯度高、结晶度好、产物团聚少等特点，适宜于工业化大规模生产。
- 一种促进钛酸钾晶须生长的方法-201210189429.0
- 商少明;孙芳;刘瑛;陈新;宋健 - 江南大学
- 2012-06-11 - 2012-09-19 - C30B1/10
- 本发明提出了一种促进钛酸钾晶须生长的方法。该方法采用晶须生长促进剂及水，薄料层一次焙烧或较厚料层两次焙烧的方式，促进钛酸钾晶须的生长，获得粗细、长短均一的晶须产品。
- 一种在中性气氛下将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体转为无色的方法-201110417568.X
- 岑伟;李和新;王佳 - 中国电子科技集团公司第二十六研究所
- 2011-12-14 - 2012-06-13 - C30B1/10
- 本发明公开了一种在中性气氛下将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体转为无色的方法，是将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体在中性的气氛下加热一段时间，使铈掺杂硅酸钇镥晶体中的氧扩散出来以将Ce4+变为Ce3+，使晶体转换为无色。本发明通过在特定的气氛、温度条件下对晶体进行中性气氛下高温热处理，清除晶体中多余的氧，使视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体转为无色，提高晶体420nm处透过率。晶体的闪烁性能明显提高。本方法既可以对原生晶体进行还原热处理以提高晶体的性能，又可以将氧化处理过当的晶体产品进行性能“恢复”。不仅极大地提高了晶体的性能，而且进一步提高了晶体的利用率。
- 一种AlGaN单晶制备方法-201110350936.3
- 曹永革;童浩;刘著光;邓种华;黄集权 - 中国科学院福建物质结构研究所
- 2011-11-08 - 2012-05-09 - C30B1/10
- 本发明涉及一种AlGaN单晶的制备方法,本方法所需装置简单，利用金属Ga源和单晶AlN在防止氧化的情况下将Ga扩散进AlN单晶形成AlGaN.通过X射线衍射结果分析所制备的AlGaN单晶体具有高铝组分。所生长的AlGaN单晶有一定使用价值，该AlGaN单晶衬底可供AlGaN等III-N半导体材料薄膜同质外延之需。
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