[发明专利]一种含晶须、纤维以及片状嵌入颗粒的碳化硅陶瓷无效
| 申请号： | 200610139187.9 | 申请日： | 2006-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101164982A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 李榕生;水淼;王霞;宋岳 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/80 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315211浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及陶瓷，是关于碳化硅陶瓷，特别是一种同时含有碳化硅晶须、炭纤维以及片状氧化铝嵌入颗粒的碳化硅陶瓷。本发明的特点，是利用碳化硅晶须以及炭纤维的增韧强势，在结合使用碳化硅晶须以及炭纤维的同时，引入第三种增韧物质——片状氧化铝颗粒，与碳化硅晶须以及炭纤维一起对碳化硅陶瓷进行组合增韧；其中，片状氧化铝颗粒相对廉价，并且易于与其它物料均匀混合；本发明的方案减小了对于相对难于分散的碳化硅晶须以及炭纤维的依赖程度，并弱化了混料不均可能带来的负面影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含晶须 纤维 以及 片状 嵌入 颗粒 碳化硅 陶瓷 | ||
【主权项】：
1.一种含晶须、纤维以及片状嵌入颗粒的碳化硅陶瓷，其组成如下：(1)碳化硅晶粒48％～94％(重量)(2)碳化硅晶须2％～12％(重量)(3)炭纤维2％～12％(重量)(4)片状氧化铝嵌入颗粒2％～16％(重量)(5)碳化硼或钇铝石榴石0％～12％(重量)。
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- 本发明涉及导体材料制备领域，涉及一种等离子点火用SiC半导体材料、制备方法及电嘴，该材料按质量比30～70％的SiC粉末、10～20％的ZrO
- 一种高导热碳化硅陶瓷及其制备方法-202310643096.2
- 王东;黄海兴;石威;李伟强;王强 - 潍坊华美智能科技有限公司;山东华美新材料科技股份有限公司
- 2023-06-01 - 2023-08-29 - C04B35/565
- 本发明公开了一种碳化硅陶瓷及其制备方法，通过调整碳化硅粉体的粒径和石墨粉体的粒径有效的避免了造粒的工艺，粉体流动性良好，与溶剂粘结剂混合后直接就可以干压或和等静压，此外结合抽气振动并干压等静压后步骤，使碳化硅陶瓷的热导率得到较大提高。
- 超高温陶瓷蜂巢及其在多晶硅工艺硅粉收集中的应用-202310917007.9
- 李锋 - 常州赛璞睿生科技有限公司
- 2023-07-25 - 2023-08-29 - C04B35/565
- 本发明公开了一种超高温陶瓷蜂巢及其在多晶硅工艺硅粉收集中的应用，属于多晶硅生产技术领域。超高温陶瓷蜂巢包括基材和过滤膜，基材采用多通道壁向流流体模型，即蜂窝结构体，过滤膜通过等离子喷涂技术均匀的喷涂在蜂巢滤砖一侧的开口内流道表面；将喷涂好的过滤膜层进行微波干燥，然后置于真空烧结炉内在1600～1700℃下烧结而成。本发明的陶瓷蜂巢能够提升3倍以上的过滤精度，采用等离子膜喷涂工艺，高温烧结后的碳化硅膜过滤精度可以达到0.3微米，从而有效的拦截所有低于1微米的细硅粉。
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