[发明专利]一种硅片LD缺陷检测方法及装置有效
| 申请号： | 201711206191.7 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN108038841B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李阳;周璐;李铭 | 申请（专利权）人： | 浙江华睿科技有限公司 |
| 主分类号： | G06T7/00 | 分类号： | G06T7/00;G06T7/11;G06T7/136;G06T7/66;G01N21/88 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 310053 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片LD缺陷检测方法及装置，所述方法包括：将硅片图像中硅片对应的图像区域划分为至少两个第一子区域，确定每个第一子区域对应的梯度均值；针对每个第一子区域，判断该第一子区域对应的梯度均值是否大于预设的梯度阈值；如果是，确定硅片与该第一子区域对应的位置存在LD缺陷。由于在本发明实施例中，将硅片图像中硅片对应的图像区域划分为至少两个第一子区域，根据每个第一子区域对应的梯度均值是否大于预设的梯度阈值，确定硅片与每个第一子区域对应的位置是否存在LD缺陷，无需对硅片图像中硅片对应的图像区域进行阈值分割及对比度增强，避免了硅片背景纹理的干扰，提高了硅片LD缺陷的检测精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 ld 缺陷 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种硅片车削线痕LD缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：将硅片图像中硅片对应的图像区域划分为至少两个第一子区域，确定每个第一子区域对应的梯度均值；针对每个第一子区域，判断该第一子区域对应的梯度均值是否大于预设的梯度阈值；如果是，确定硅片与该第一子区域对应的位置存在LD缺陷。
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