[发明专利]一种硅片LD缺陷检测方法及装置

说明书

本发明公开了一种硅片LD缺陷检测方法及装置，所述方法包括：将硅片图像中硅片对应的图像区域划分为至少两个第一子区域，确定每个第一子区域对应的梯度均值；针对每个第一子区域，判断该第一子区域对应的梯度均值是否大于预设的梯度阈值；如果是，确定硅片与该第一子区域对应的位置存在LD缺陷。由于在本发明实施例中，将硅片图像中硅片对应的图像区域划分为至少两个第一子区域，根据每个第一子区域对应的梯度均值是否大于预设的梯度阈值，确定硅片与每个第一子区域对应的位置是否存在LD缺陷，无需对硅片图像中硅片对应的图像区域进行阈值分割及对比度增强，避免了硅片背景纹理的干扰，提高了硅片LD缺陷的检测精度。

技术领域

本发明涉及图像处理技术领域，尤其涉及一种硅片车削线痕(LD)缺陷检测方法及装置。

背景技术

硅片是一种制造太阳能电池板的基础材料，由硅棒经切片、磨片、抛光等工序获得，硅片的质量好坏直接决定着太阳能电池板的性能。硅片的LD缺陷是指硅片在磨削加工过程中产生的，具有规律性的且对比度高于背景纹理的纹理缺陷，具体由一组组等间隔明暗交替的直条纹组成。

现有硅片LD缺陷的检测，主要是对硅片图像进行阈值分割，提取硅片图像中灰度值大于预设阈值的像素点，并根据提取的像素点是否能构成连通域，确定是否存在LD缺陷。然而由于硅片的背景纹理较重，且LD缺陷的纹理较硅片的背景纹理区别不是很明显，很容易造成漏检。另外在对硅片图像进行阈值分割时也会使用对比度增强的方法，但是因为硅片表面也具有背景纹理，对比度增强也会提高背景纹理的噪声干扰，进一步造成检测精度下降。

发明内容

本发明提供一种硅片LD缺陷检测方法及装置，用以解决现有技术中硅片LD缺陷检测的精度不高的问题。

本发明公开了一种硅片LD缺陷检测方法，所述方法包括：

将硅片图像中硅片对应的图像区域划分为至少两个第一子区域，确定每个第一子区域对应的梯度均值；

针对每个第一子区域，判断该第一子区域对应的梯度均值是否大于预设的梯度阈值；如果是，确定硅片与该第一子区域对应的位置存在LD缺陷。

进一步地，所述确定每个第一子区域对应的梯度均值包括：

针对每个第一子区域中的每个像素点，根据该像素点在所述硅片图像的横轴方向上的第一梯度值和纵轴方向上的第二梯度值的和，确定该像素点的梯度值；

针对每个第一子区域，根据该第一子区域中每个像素点的梯度值的平均值，确定该第一子区域对应的梯度均值。

进一步地，如果存在对应的梯度均值不大于预设的梯度阈值的第一子区域，将该第一子区域作为第二子区域，所述方法还包括：

针对每个第二子区域，对该第二子区域中的每个像素点在每个预设角度进行梯度投影，确定该第二子区域在每个预设角度梯度投影的方差；判断该第二子区域在每个预设角度梯度投影的方差是否均小于预设的方差阈值；如果否，确定硅片与该第二子区域对应的位置存在LD缺陷。

进一步地，所述方法还包括：

记录存在LD缺陷的子区域在所述硅片图像中的坐标。

进一步地，所述将硅片图像中硅片对应的图像区域划分为至少两个第一子区域之前，所述方法还包括：

识别所述硅片图像中硅片对应的图像区域的半径，根据预设的半径系数及所述硅片对应的图像区域的半径，确定硅片对应的中心区域的半径；

根据所述硅片对应的中心区域的半径，去除硅片对应的图像区域中硅片对应的中心区域，确定硅片图像中硅片对应的目标图像区域；

所述将硅片图像中硅片对应的图像区域划分为至少两个第一子区域包括：

将所述硅片对应的目标图像区域划分为至少两个第一子区域。