[发明专利]高散热等线距堆栈芯片封装结构及其封装方法在审

专利信息
申请号: 201711127223.4 申请日: 2017-11-15
公开(公告)号: CN107863333A 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 朱能煌;江进良 申请(专利权)人: 贵州贵芯半导体有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L25/07;H01L23/367;H01L21/56
代理公司: 贵阳春秋知识产权代理事务所(普通合伙)52109 代理人: 杨云
地址: 550025 贵州*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 发明提供一种高散热等线距堆栈芯片的封装结构,其包含第一玻璃基板、第一集成电路装置、第一异方性导电胶、第二玻璃基板、第二集成电路装置、第二异方性导电胶以及封装主体。
搜索关键词: 散热 堆栈 芯片 封装 结构 及其 方法
【主权项】:
一种高散热等线距堆栈芯片封装结构,其特征是,包含:第一玻璃基板,其包含第一基板表面、第二基板表面及贯通所述第一基板表面和所述第二基板表面的第一导溢孔,所述第一导溢孔设于所述第一玻璃基板的中央,所述第一基板表面包含第一基板线路,所述第一基板线路包含复数个第一基板接点和复数个第一基板导电凸块,所述这些第一基板导电凸块设于所述第一玻璃基板的边缘,这些第一基板接点设于所述第一导溢孔的周围;第一积体电路装置,其包含复数个第一装置导电凸块,是这些第一装置导电凸块电性连接于这些第一基板接点;第一异方性导电胶,其设于所述第一装置导电凸块和所述第一基板接点的周围,并通过所述第一导溢孔导溢;第二玻璃基板,其包含第三基板表面、第四基板表面及贯通所述第三基板表面和所述第四基板表面的第二导溢孔,所述第二导溢孔设于所述第二玻璃基板的中央,所述第三基板表面包含第二基板线路,所述第二基板线路包含复数个第二基板接点和复数个第二基板导电凸块,所述这些第二基板导电凸块设于所述第二玻璃基板的边缘,所述第二基板接点设于所述第二导溢孔的周围;第二积体电路装置,其包含复数个第二装置导电凸块,所述第二装置导电凸块电性连接于所述第二基板接点;第二异方性导电胶,其设于所述第二装置导电凸块和所述第二基板接点的周围,并通过所述第二导溢孔导溢;以及封装主体,其包含第一主体表面及第二主体表面,所述第一主体表面包含凹槽及主体线路,所述第一积体电路装置和所述第一玻璃基板设于所述凹槽内,所述第一基板导电凸块电性连接于所述主体线路,所述第二积体电路装置和所述第二玻璃基板设于所述第一玻璃基板的上方,所述第二基板导电凸块电性连接于所述主体线路。
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