[发明专利]高散热等线距堆栈芯片封装结构及其封装方法在审

专利信息
申请号: 201711127223.4 申请日: 2017-11-15
公开(公告)号: CN107863333A 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 朱能煌;江进良 申请(专利权)人: 贵州贵芯半导体有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L25/07;H01L23/367;H01L21/56
代理公司: 贵阳春秋知识产权代理事务所(普通合伙)52109 代理人: 杨云
地址: 550025 贵州*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 散热 堆栈 芯片 封装 结构 及其 方法
【说明书】:

技术领域

本发明是关于堆栈芯片封装结构及其封装方法,尤其关于一种利用晶粒玻璃接合技术而堆栈芯片封装结构及其制造方法。

背景技术

因数据量庞大,对于效能需求的增加,目前服务器大多需使用多个中央处理器(Central Processing Unit, CPU)进行运算处理,不论是双处理器、四处理器或是更多的处理器,在现有的架构,都是将每个处理器分别设置在主板的各个位置,再进行电路设计布局。此种方式至少有两个重大的缺失,其一是每个处理器都具有多个针脚需连接于主板,且还有时序的问题,因此大幅度地增加电路布线的复杂度;其二是每个处理器都会占用主板的空间,当处理器数量的增加,对应也需不断地扩大主板的尺寸,使得主机的体积会非常庞大,以上两个缺失的结合,会造成服务器整体结构设计非常困难。

虽有习知技术将多个CPU的积体电路(也称集成电路,IC),或称芯片(chip)、晶粒(die)、裸晶进行堆栈后封装,但这些先前技术分别仍有缺失和相异于本发明之处如下述说明。

中国发明专利CN101107710 B所堆栈的为不同尺寸的集成电路(即积体电路),其作用也不相同,上面集成电路的面积大于下面集成电路的面积,且两者接合于同一基板,其说明书中叙述要防止树脂流到基板的中央孔洞,以用于让光线穿透。美国发明专利US20060016973 A1也为不同尺寸的集成电路,且两者接合于同一基板,其基板中央孔洞也用于透光。美国发明专利US8531019 B2虽基板中央的通孔是用于散热,但通孔内部为金属线,并将其连接金属板和锡球来达到散热的目的。US6365963 B也为不同尺寸的集成电路,且接合于同一基板,其基板的通孔是用于连接线路。中国台湾发明专利200810063的基板不是玻璃基板,且是将两个基板进行接合,并非分别接和于封装主体,且其说明书中记载以附图的方式堆栈集成电路,会产生连接不良的问题,为一反面事例。

除上述叙述外,习知技术(即现有技术)都未考虑到电路布线的问题,因此申请人提出一种以可藉由等线距解决电路布线问题,并具有高散热优点的堆栈芯片封装结构和封装制作方法,以改善习知技术的缺失,并同时达到有效缩小封装体面积的功效。

发明内容

有鉴于习知技术的缺失,本发明提供一种高散热等线距堆栈芯片封装结构及其封装方法。

本发明的高散热等线距堆栈芯片封装结构,包括:第一玻璃基板,其包含第一基板表面、第二基板表面及贯通第一基板表面和第二基板表面的第一导溢孔,第一导溢孔设置于第一玻璃基板的中央,第一基板表面包含第一基板线路,第一基板线路包含复数个第一基板接点和复数个第一基板导电凸块,所述第一基板导电凸块设置于所述第一玻璃基板的边缘,所述第一基板接点设置于第一导溢孔的周围;第一集成电路(即积体电路)装置,其包含复数个(即多个)第一装置导电凸块,所述第一装置导电凸块电性连接于所述第一基板接点;第一异方性导电胶,其设置于所述第一装置导电凸块和所述第一基板接点的周围,并通过第一导溢孔导溢;第二玻璃基板,其包含第三基板表面、第四基板表面及贯通第三基板表面和第四基板表面的第二导溢孔,第二导溢孔设置于第二玻璃基板的中央,第三基板表面包含第二基板线路,第二基板线路包含复数个第二基板接点和复数个第二基板导电凸块,所述第二基板导电凸块设置于第二玻璃基板的边缘,所述第二基板接点设置于第二导溢孔的周围;第二集成电路(即积体电路)装置,其包含复数个第二装置导电凸块,所述第二装置导电凸块电性连接于所述第二基板接点;第二异方性导电胶,其设置于所述第二装置导电凸块和所述第二基板接点的周围,并通过所述第二导溢孔导溢;以及封装主体,其包含第一主体表面及第二主体表面,第一主体表面包含凹槽及主体线路,第一集成电路装置和第一玻璃基板设置于凹槽内,所述第一基板导电凸块电性连接于主体线路,第二集成电路装置和第二玻璃基板设置于第一玻璃基板的上方,所述第二基板导电凸块电性连接于主体线路。

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