[发明专利]功率半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201711061805.7 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN108110040A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 金锐;崔磊;吴郁;何紫东;潘艳;赵岩;温家良;徐向前;高明超;冷国庆;刘江;赵哿;王耀华;董少华 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 吴黎 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了功率半导体器件及其制造方法，其中所述功率半导体器件包括：第一半导体区域，其具有第一导电类型；至少一个第二半导体区域，设置在第一半导体区域上，并且第二半导体区域的表面与第一半导体区域的表面齐平，第二半导体区域具有与第一导电类型相反的第二导电类型；第一绝缘层，设置在第一半导体区域和第二半导体区域的表面上；第一绝缘层上对应于第二半导体区域的位置设置有至少一个开口；第二半导体区域的表面内对应于开口的位置形成有至少一个凹陷区域，凹陷区域为具有第一导电类型的半导体材料。本发明实施例所提供的功率半导体器件能够在降低表面温度的同时缩短横向电阻区的长度，从而减小功率半导体器件的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体区域 功率半导体器件 第一导电类型 绝缘层 凹陷区域 开口 半导体材料 表面齐平 导电类型 横向电阻 减小 制造 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：第一半导体区域，其具有第一导电类型；至少一个第二半导体区域，设置在所述第一半导体区域上，并且所述第二半导体区域的表面与所述第一半导体区域的表面齐平，所述第二半导体区域具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；第一绝缘层，设置在所述第一半导体区域和所述第二半导体区域的所述表面上；所述第一绝缘层上对应于所述第二半导体区域的位置设置有至少一个开口；所述第二半导体区域的所述表面内对应于所述开口的位置形成有至少一个凹陷区域，所述凹陷区域为具有所述第一导电类型的半导体材料。
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