[发明专利]一种封装结构及封装方法在审
申请号: | 201711059709.9 | 申请日: | 2017-11-01 |
公开(公告)号: | CN109755262A | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 何志宏;林正忠;林章申 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种封装结构及封装方法,所述封装结构包括:复合芯片,所述复合芯片包括介质层及结合于介质层第一面的电路层;且介质层还包括与第一面相对的第二面;介质层横向划分为感应区及逻辑区;感应区内包括若干沟槽隔离结构;聚光层位于介质层第二面;聚光层包括像素元件,像素元件的位置对应于感应区;本发明采用晶圆级封装方法,在一次封装过程中得到多个集成有感应区及逻辑区的复合芯片封装结构,具有封装体积小,组装工艺简单,封装费用低的优点,且不需要外部连线,从而有利于提高结构的稳定性,同时提高最终器件结构的成品率。 | ||
搜索关键词: | 介质层 封装结构 封装 复合芯片 感应区 像素元件 第二面 聚光层 逻辑区 沟槽隔离结构 晶圆级封装 器件结构 外部连线 一次封装 组装工艺 成品率 电路层 体积小 | ||
【主权项】:
1.一种封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:复合芯片,所述复合芯片包括介质层及结合于所述介质层第一面的电路层;且所述介质层还包括与所述第一面相对的第二面;所述介质层横向划分为感应区及逻辑区;所述感应区内包括若干沟槽隔离结构;聚光层,所述聚光层位于所述介质层第二面;所述聚光层包括像素元件,所述像素元件的位置对应于所述感应区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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