[发明专利]具有双层氧化物半导体的薄膜晶体管基板有效
| 申请号： | 201711043946.6 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN108022937B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李昭珩;金圣起;李永镇;金敏澈;梁晸硕;任曙延 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有双层氧化物半导体的薄膜晶体管基板。本公开提供了一种薄膜晶体管基板，包括：基板；和氧化物半导体层，所述氧化物半导体层在所述基板上，其中，所述氧化物半导体层包括：具有铟、镓和锌的第一氧化物半导体层；和具有铟、镓和锌的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层层叠在所述第一氧化物半导体层上，其中，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层中的任一层具有1:1:1的铟、镓和锌的第一组成比；并且其中，另一层具有铟比率高于锌比率的铟、镓和锌的第二组成比。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双层 氧化物 半导体 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：基板；以及氧化物半导体层，所述氧化物半导体层在所述基板上，其中，所述氧化物半导体层包括：具有铟、镓和锌的第一氧化物半导体层；和具有铟、镓和锌的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层层叠在所述第一氧化物半导体层上，其中，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层中的任一层具有1:1:1的铟、镓和锌的第一组成比，并且其中，另一层具有铟比率高于锌比率的铟、镓和锌的第二组成比。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
