[发明专利]具有双层氧化物半导体的薄膜晶体管基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：

基板；

氧化物半导体层，所述氧化物半导体层在所述基板上；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层被设置在所述氧化物半导体层的上层和下层中的任一层处；以及

栅极，所述栅极与所述氧化物半导体层交叠，且所述栅极绝缘层位于所述栅极和所述氧化物半导体层之间，

其中，所述氧化物半导体层包括：

具有铟、镓和锌的第一氧化物半导体层；和

具有铟、镓和锌的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层层叠在所述第一氧化物半导体层上，

其中，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层中的任一层具有1:1:1的铟、镓和锌的第一组成比，

其中，另一层具有铟比率高于锌比率的铟、镓和锌的第二组成比，

其中，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层中更靠近所述栅极的任一氧化物半导体层具有所述第一组成比，并且

其中，远离所述栅极的另一氧化物半导体层具有所述第二组成比。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，

其中，铟、镓和锌的所述第二组成比具有锌比率与镓比率之比等于或高于0且低于0.5的条件。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中，铟、镓和锌的所述第二组成比具有所述铟比率与所述镓比率之比低于1的条件。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，

其中，铟、镓和锌的所述第二组成比具有从1:2:0至1:2:0.9中选择的任一值的条件。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板还包括：

源极，所述源极与所述第一氧化物半导体层的一个上表面接触；以及

漏极，所述漏极与所述第一氧化物半导体层的另一上表面接触，

其中，所述第一氧化物半导体层具有所述第一组成比，并且所述第二氧化物半导体层具有所述第二组成比，并且

其中，所述栅极被设置在所述第一氧化物半导体层下方。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第二氧化物半导体层具有比所述第一氧化物半导体层小的面积，并且被设置在所述第一氧化物半导体层的中间部分上。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板，

其中，所述源极还接触所述第二氧化物半导体层的一个上表面，并且

其中，所述漏极还接触所述第二氧化物半导体层的另一上表面。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板还包括：

刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层在所述第二氧化物半导体层上设置在所述源极和所述漏极之间。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其中，所述刻蚀阻挡层具有比所述第二氧化物半导体层小的尺寸。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其中，所述刻蚀阻挡层具有与所述第二氧化物半导体层相同的尺寸。

11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板还包括：

中间绝缘层，所述中间绝缘层在所述栅极上；以及

源极和漏极，所述源极和所述漏极形成在所述中间绝缘层上，

其中，所述栅极在所述栅极绝缘层上与所述第二氧化物半导体层的中间部分交叠，所述栅极绝缘层在所述第二氧化物半导体层上，

其中，所述第一氧化物半导体层具有所述第二组成比，并且所述第二氧化物半导体层具有所述第一组成比，

其中，所述第一氧化物半导体层具有与所述第二氧化物半导体层相同的尺寸，

其中，所述源极经由穿透所述中间绝缘层的源极接触孔与所述第二氧化物半导体层的一部分接触，并且

其中，所述漏极经由穿透所述中间绝缘层的漏极接触孔与所述第二氧化物半导体层的另一部分接触。