[发明专利]制造半导体元件的方法

摘要

在制作半导体元件的方法中，提供基材。形成硬罩幕与罩幕层于基材的第一区与第二区上。利用硬罩幕与罩幕层凹入基材，以形成鳍状结构于第一区中、以及凸起结构于第二区中。形成第一隔离结构与第二隔离结构于鳍状结构的相对侧壁的下部与凸起结构的相对侧壁上。形成第一栅极结构在部分的鳍状结构上、以及第二栅极结构在部分的凸起结构上。形成第一源极以及第一漏极于第一栅极结构的相对二侧上、以及第二源极以及第二漏极于第二栅极结构的相对二侧上。利用此方法，鳍式场效晶体管结构与平面场效晶体管结构可在相同基材上同时制作，可简化半导体元件的制程，并微型化半导体元件。

主权项

1.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，该方法包含：提供一基材，该基材包含一第一区以及一第二区；形成至少一硬罩幕于该基材的该第一区上；形成一罩幕层于该基材的该第二区上；利用该硬罩幕与该罩幕层，凹入该基材，以形成一鳍状结构于该第一区中、以及一凸起结构于该第二区中；形成二第一隔离结构分别覆盖该鳍状结构的相对二侧壁的多个下部、以及二第二隔离结构分别覆盖该凸起结构的相对二侧壁；形成一第一栅极结构延伸在该鳍状结构的一第一部分以及部分的所述第一隔离结构上、以及一第二栅极结构延伸在该凸起结构的一第一部分以及部分的所述第二隔离结构上，其中该第一栅极结构覆盖该鳍状结构的该第一部分的所述侧壁的多个上部与一上表面上；以及形成一第一源极以及一第一漏极分别位于该鳍状结构上的该第一栅极结构的相对二侧上、以及一第二源极以及一第二漏极分别位于该凸起结构中的该第二栅极结构的相对二侧上。