[发明专利]制造半导体元件的方法

说明书

在制作半导体元件的方法中，提供基材。形成硬罩幕与罩幕层于基材的第一区与第二区上。利用硬罩幕与罩幕层凹入基材，以形成鳍状结构于第一区中、以及凸起结构于第二区中。形成第一隔离结构与第二隔离结构于鳍状结构的相对侧壁的下部与凸起结构的相对侧壁上。形成第一栅极结构在部分的鳍状结构上、以及第二栅极结构在部分的凸起结构上。形成第一源极以及第一漏极于第一栅极结构的相对二侧上、以及第二源极以及第二漏极于第二栅极结构的相对二侧上。利用此方法，鳍式场效晶体管结构与平面场效晶体管结构可在相同基材上同时制作，可简化半导体元件的制程，并微型化半导体元件。

技术领域

本发明实施例是有关于一种半导体元件，且特别是有关于一种鳍式场效晶体管(FinFET)元件及其制造方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业已历经快速成长。在集成电路发展的进程中，随着几何尺寸[亦即，利用一制程可形成的最小构件(或线)]的减少，功能密度(定义为每晶片面积的互连元件的数量)大体上已获得增加。微缩化过程大体上通过增加生产效率以及降低相关成本的方式提供许多优势。但是，这样的微缩化已增加了处理与制造集成电路的复杂性。为了实现这些进展，在集成电路制造上需要相似的发展。

举例而言，随着半导体集成电路工业已发展到纳米科技制程节点，以追求更高的元件密度、更高的性能与更低的成本，来自制造与设计的挑战均已促使三维(3D)元件，例如鳍式场效晶体管的发展。然而，传统鳍式场效晶体管元件及制造鳍式场效晶体管元件的方法已无法完全满足各方面需求。

发明内容

依照一实施方式，本揭露揭示一种制造半导体元件的方法。在此方法中，提供基材，此基材包含第一区以及第二区。形成至少一硬罩幕于基材的第一区上。形成罩幕层于基材的第二区上。利用硬罩幕与罩幕层，凹入基材，以形成第一凸起结构于第一区中、以及第二凸起结构于第二区中。形成二第一隔离结构以及二第二隔离结构分别覆盖第二凸起结构的相对二侧壁，其中形成第一隔离结构包含移除第一凸起结构的多个部分，以形成一鳍状结构，其中鳍状结构的相对二侧壁的多个下部被第一隔离结构所覆盖。形成第一栅极结构延伸在鳍状结构的第一部分以及部分的第一隔离结构上、以及第二栅极结构延伸在第二凸起结构的第一部分以及部分的第二隔离结构上，其中第一栅极结构覆盖鳍状结构的第一部分的侧壁的上部与上表面上。形成第一源极以及第一漏极分别位于鳍状结构上的第一栅极结构的相对二侧上、以及第二源极以及第二漏极分别位于第二凸起结构中的第二栅极结构的相对二侧上。

依照另一实施方式，本揭露揭示一种制造半导体元件的方法。在此方法中，提供基材，此基材包含第一区以及第二区。形成硬罩幕于基材的第一区上。形成罩幕层于基材的第二区上。利用硬罩幕与罩幕层，凹入基材，以形成第一凸起结构于第一区中、以及第二凸起结构于第二区中。形成数个第一隔离结构以及二第二隔离结构，其中形成第一隔离结构包含移除第一凸起结构的多个部分，以形成沿一方向延伸的至少二鳍状结构，其中每一鳍状结构的相对二侧壁的下部被第一隔离结构的其中二者所覆盖，且第二凸起结构的相对二侧壁被第二隔离结构所完全覆盖。形成第一栅极结构延伸在鳍状结构的数个第一部分以及部分的第一隔离结构上、以及第二栅极结构延伸在第二凸起结构的第一部分以及部分的第二隔离结构上，其中第一栅极结构覆盖鳍状结构的第一部分的侧壁的上部与上表面。形成第一源极以及第一漏极分别位于鳍状结构上的第一栅极结构的相对二侧上、以及第二源极以及第二漏极分别位于第二凸起结构中的第二栅极结构的相对二侧上。