[发明专利]用于制造半导体芯片的方法及半导体封装构造

摘要

本申请涉及半导体领域，公开了一种用于制造半导体芯片的方法，包括：在晶圆的正面上贴附抗蚀膜；对所述正面应用激光切割以在所述正面上形成切割槽，其中所述切割槽在所述正面上划出多个芯片，所述正面包括所述多个芯片的多个有源面；对所述晶圆进行第一模式的第一等离子体刻蚀并刻蚀至第一深度；其中所述芯片的有源面的边缘和角隅被倒角；对所述晶圆进行第二模式的第二等离子体刻蚀并刻蚀至第二深度；对所述晶圆进行所述第一模式的第三等离子刻蚀，其中所述晶圆对应于所述多个芯片的背面的边缘和角隅位置被倒角；以及去除所述抗蚀膜。

主权项

1.一种用于制造半导体芯片的方法，其特征在于，所述方法包括：在晶圆的正面上贴附抗蚀膜；对所述正面应用激光切割以在所述正面上形成切割槽，其中所述切割槽在所述正面上划出多个芯片，所述正面包括所述多个芯片的多个有源面；对所述晶圆进行第一模式的第一等离子体刻蚀并刻蚀至第一深度；其中所述芯片的有源面的边缘和角隅被倒角；对所述晶圆进行第二模式的第二等离子体刻蚀并刻蚀至第二深度，以形成芯片侧面；对所述晶圆进行所述第一模式的第三等离子刻蚀，在不翻转晶圆的状态下，所述第一模式的第三等离子刻蚀气体通过所述晶圆在所述第一深度至所述第二深度的芯片侧面，其中所述晶圆对应于所述多个芯片的背面的边缘和角隅位置被倒角，在所述第一模式的第一和第三等离子体刻蚀是生成低聚合物的等离子体刻蚀；在所述第二模式的第二等离子体刻蚀是生成高聚合物的等离子体刻蚀，在所述第一模式的第一等离子体刻蚀、所述第二模式的第二等离子体刻蚀及所述第一模式的第三等离子刻蚀的过程，所述抗蚀膜保持覆盖所述有源面；以及去除所述抗蚀膜。