[发明专利]一种背照式图形传感器的制造方法

摘要

本发明公开了一种背照式图形传感器的制造方法，包括：对像元芯片背面进行硅片减薄处理，在像元芯片背面表面依次沉积抗反射介质层和第一保护层，在第一保护层上形成不同颜色的滤色薄膜，各滤色薄膜之间具有连通的间隙，在滤色薄膜表面保形地沉积第二保护层，沿间隙位置定义出连通的深沟槽区域，刻蚀形成深沟槽，对深沟槽先后沉积介质阻挡层、金属阻挡层，并填充金属，对表面金属进行CMP抛光，并沉积介质覆盖层。本发明通过先完成滤色薄膜工艺，再采用第二保护层介质层全覆盖滤色薄膜，并进一步将深沟槽工艺与金属格栅工艺同步完成，可减少一个光刻步骤和金属格栅相关的工艺步骤，从而使成本得到降低。

主权项

一种背照式图形传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一具有像元芯片的硅片，对所述像元芯片背面进行硅片减薄处理；步骤S02：在减薄后的像元芯片背面表面依次沉积抗反射介质层和第一保护层；步骤S03：在第一保护层上形成不同颜色的滤色薄膜；其中，各所述滤色薄膜之间具有相连通的间隙；步骤S04：在滤色薄膜表面保形地沉积第二保护层；步骤S05：沿间隙位置定义出连通的深沟槽区域；步骤S06：刻蚀形成深沟槽；步骤S07：对深沟槽先后沉积介质阻挡层、金属阻挡层，并填充金属；步骤S08：对器件表面多余的金属进行CMP抛光，并沉积介质覆盖层。