[发明专利]一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构

摘要

本发明提供了一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构，该结构整体由坩埚、坩埚盖、籽晶杆、上部保温层结构、下部保温层结构、侧面保温层结构以及感应线圈组成。坩埚分为筒状无底结构和坩埚托两个部分，筒状无底结构放置于坩埚托上部，筒状无底结构为高纯石墨材料，坩埚托为耐高温绝缘材料；籽晶杆下端为籽晶托盘结构，可随升华过程中固体原料高度的降低而移动；侧面保温层结构外部的感应线圈结构可由上向下移动，以便保证晶体的生长界面与原料之间的合理间距。本发明热场结构降低了晶体开裂的几率，同时有效降低晶体内部的微管、应力等缺陷，实现大尺寸、半绝缘的碳化硅单晶的生长。

主权项

一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构，其特征在于它包括坩埚、坩埚盖、籽晶杆、上部保温层结构、下部保温层结构、侧面保温层结构以及设置在侧面保温层结构外侧的感应线圈结构组成，坩埚分为筒状无底结构和坩埚托两个部分，筒状无底结构放置于坩埚托上部；坩埚上方依次放置坩埚盖和上部保温层结构；籽晶杆下端设有籽晶托盘结构，并且籽晶杆可以轴向移动；侧面保温层结构围绕在坩埚的外部，侧面保温层结构外侧的感应线圈结构可轴向移动，上部保温层结构位于坩埚盖的顶部，下部保温层结构位于坩埚托的底端。