[发明专利]一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构

权利要求书

1.一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构，其特征在于它包括坩埚、坩埚盖、籽晶杆、上部保温层结构、下部保温层结构、侧面保温层结构以及设置在侧面保温层结构外侧的感应线圈结构组成，坩埚分为筒状无底结构和坩埚托两个部分，筒状无底结构放置于坩埚托上部；坩埚上方依次放置坩埚盖和上部保温层结构；籽晶杆下端设有籽晶托盘结构，并且籽晶杆可以轴向移动；侧面保温层结构围绕在坩埚的外部，侧面保温层结构外侧的感应线圈结构可轴向移动，上部保温层结构位于坩埚盖的顶部，下部保温层结构位于坩埚托的底端。

2.根据权利要求1所述的一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构，其特征在于所述的筒状无底结构的外径为Φ160~Φ240mm，内径为Φ100~Φ180mm，高度为330-430mm。

3.根据权利要求2所述的一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构，其特征在于所述的坩埚托直径为Φ160~Φ240mm，厚度为80-140mm；筒状无底结构放置于坩埚托上部。

4.根据权利要求3所述的一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构，其特征在于所述的坩埚盖的直径为Φ180~Φ260mm，厚度为80-120mm，坩埚盖中心留有放置籽晶杆的通孔，直径为Φ60~Φ81mm，并且向圆周的边缘方向开一个宽度为60-81mm、长度为90-130mm的通槽；通槽的一侧设置一个可关闭的扇形划片，扇形划片的角度为90°，半径为Φ60~Φ90mm。

5.根据权利要求4所述的一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构，其特征在于所述的籽晶杆的直径为Φ60~Φ80mm，长度为200-260mm；籽晶杆下端为籽晶托盘结构，托盘的直径为Φ100~Φ180mm，高度为30-50mm；籽晶杆可以轴向移动。

6.根据权利要求5所述的一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构，其特征在于所述的上部保温层结构的直径为Φ200~Φ280mm，高度为90-150mm；中心留有放置籽晶杆的通孔，直径为Φ60~Φ81mm，并且向圆周的边缘方向开一个宽度为60-81mm、长度为100-140mm的通槽；通槽的开口位置与坩埚盖通槽的开口位置错开，通槽的一侧设置一个可关闭的扇形划片，扇形划片的角度为90°，半径为Φ70~Φ100mm。

7.根据权利要求6所述的一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构，其特征在于所述的侧面保温层结构为筒状结构分布于坩埚的外侧，与坩埚距离为10-20mm，侧面保温层结构的外径为Φ270~Φ410mm，厚度为60-120mm，高度为650-800mm。

8.根据权利要求7所述的一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构，其特征在于所述的感应线圈结构分布在侧面保温层结构的外部，与侧面保温层结构的距离为20-30mm，感应线圈的线径为Φ5~Φ8mm，绕线间距为2-5mm，绕线高度为30-100mm；在感应线圈外部设有由机械系统控制轴向移动的滑道，滑道置于整体热场的五分之二至五分之四处，与内部坩埚位置一致，高度为400-450mm。

9.根据权利要求8所述的一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构，其特征在于所述的下部保温层结构位于坩埚托的底端，直径为Φ270~Φ410mm，厚度为90-120mm。