[发明专利]一种高质量碳化硅外延生长工艺在审
| 申请号： | 201711000158.9 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107829135A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 钱卫宁;冯淦;赵建辉 | 申请（专利权）人： | 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/36 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司35204 | 代理人： | 张松亭,陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市翔安区翔星*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高质量碳化硅外延生长工艺，通过化学气相沉积工艺于碳化硅衬底上依次同质生长若干个碳化硅缓冲层，于最上一缓冲层上生长碳化硅外延层；其中由下至上各缓冲层的生长速度阶梯式递增，且最上一缓冲层的生长速度不高于所述外延层的生长速度。通过对生长速度的阶梯式控制生长形成多层的缓冲层，多层缓冲层之间的短暂生长中断所形成的多个界面依次降低缺陷的传播，从而阻断了衬底的缺陷向外延层的延伸传播，降低了外延层中的缺陷数量，提高了外延质量，基于所述外延晶片制造的功能器件其特性及成品率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 碳化硅 外延 生长 工艺 | ||
【主权项】：
一种高质量碳化硅外延生长工艺，其特征在于：通过化学气相沉积工艺于碳化硅衬底上依次同质生长若干个碳化硅缓冲层，于最上一缓冲层上生长碳化硅外延层；其中由下至上各缓冲层的生长速度阶梯式递增，且最上一缓冲层的生长速度不高于所述外延层的生长速度。
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