[发明专利]一种高质量碳化硅外延生长工艺在审
| 申请号： | 201711000158.9 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107829135A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 钱卫宁;冯淦;赵建辉 | 申请（专利权）人： | 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/36 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司35204 | 代理人： | 张松亭,陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市翔安区翔星*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 质量 碳化硅 外延 生长 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种高质量碳化硅外延生长工艺，其特征在于：通过化学气相沉积工艺于碳化硅衬底上依次同质生长若干个碳化硅缓冲层，于最上一缓冲层上生长碳化硅外延层；其中由下至上各缓冲层的生长速度阶梯式递增，且最上一缓冲层的生长速度不高于所述外延层的生长速度。
2.根据权利要求1所述的高质量碳化硅外延生长工艺，其特征在于：最下缓冲层的生长速度不低于5μm/h，所述外延层的生长速度不高于100μm/h，且相邻缓冲层递增的幅度为5～15μm/h。
3.根据权利要求1或2所述的高质量碳化硅外延生长工艺，其特征在于：所述缓冲层的层数为Y，且0≤Y-X/5+1＜1，其中X为所述外延层的生长速度，Y为整数。
4.根据权利要求1所述的高质量碳化硅外延生长工艺，其特征在于：所述若干个缓冲层的总厚度为1～3μm。
5.根据权利要求1或4所述的高质量碳化硅外延生长工艺，其特征在于：所述各缓冲层的厚度相同。
6.根据权利要求1所述的高质量碳化硅外延生长工艺，其特征在于：所述碳化硅为n型掺杂的碳化硅，所述衬底及各个缓冲层的掺杂浓度分别为1×1018～3×1018个原子/cm3，所述外延层的掺杂浓度为1×1015～1×1017个原子/cm3。
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- 2017-08-14 - 2018-01-16 - C30B25/18
- 一种制备GaN衬底材料的方法，在多功能氢化物气相外延(HVPE)生长系统中，原位外延Ga2O3和GaN薄膜；先在衬底如蓝宝石或硅片上利用类HVPE方法生长氧化镓薄膜，并在氨气气氛中对氧化镓进行原位部分或全部氮化形成GaN/Ga2O3或者GaN缓冲层；然后在缓冲层上进行GaN的HVPE厚膜生长，获得高质量的GaN厚膜材料；利用化学腐蚀去掉界面层氧化镓即可获得自支撑GaN衬底材料；或者利用传统的激光剥离的方法，实现GaN厚膜与异质衬底如蓝宝石之间的分离，得到GaN自支撑衬底材料。
- 一种石墨烯衬底上ZnO分级纳米阵列及其制备方法及应用-201510245224.3
- 杨慧;李岚 - 天津理工大学
- 2015-05-14 - 2017-12-19 - C30B25/18
- 本发明公开一种石墨烯衬底上ZnO分级纳米阵列及其制备方法及应用，包括石墨烯纳米片衬底以及石墨烯纳米片衬底上的分级ZnO纳米阵列。所述石墨烯纳米片衬底上的分级ZnO纳米阵列为石墨烯纳米片衬底上无催化CVD生长的分级ZnO纳米阵列。本发明还公开了上述分级ZnO纳米阵列的制备方法及应用。与现有技术相比，本发明具有无需沉积金属催化剂和沉积其他形核层的优点，且制备的ZnO纳米阵列可以转移至至柔性衬底以及高导热衬底上，有利于制备高效、柔性、高性能ZnO基器件。
- 一种基于平面纳米线线形设计和引导的可拉伸晶体半导体纳米线的制备方法-201710450420.3
- 余林蔚;薛兆国;董泰阁;王军转 - 南京大学
- 2017-06-15 - 2017-12-12 - C30B25/18
- 基于平面纳米线线形设计和引导的可拉伸晶体半导体纳米线的制备方法，1)采用包括玻璃、二氧化硅片或者硅片衬底，进行标准化清洗；2)利用光刻技术或表面图案刻蚀技在衬底表面刻蚀一定深度的台阶；3)通过平面纳米线引导生长方法，使直径约130±20nm直径的晶体纳米线精确地沿着所述引导沟道生长，形成纳米线弹簧阵列；4)在PECVD系统中利用包括氢气的还原性等离子体处理金属薄膜，形成直径在几十纳米到一个微米之间的纳米金属催化颗粒；5)淀积覆盖一层适当厚度的非晶半导体层作为前驱体介质；6)在真空中或者非氧化性气氛中退火生长、温度在250℃以上，吸收非晶层并沿途淀积出晶态的纳米线结构。
- 大尺寸Cu(111)单晶铜箔和超大尺寸单晶石墨烯的制备方法-201610098623.6
- 徐小志;张智宏;刘开辉 - 北京大学
- 2016-02-23 - 2017-12-01 - C30B25/18
- 本发明提供了一种大尺寸Cu(111)单晶铜箔和超大尺寸单晶石墨烯的制备方法。所述方法为用掺杂金属元素的多晶铜箔作为原料，利用特殊退火工艺制备出超大尺寸单晶Cu(111)，然后利用常压化学气相沉积法，以Cu(111)单晶为衬底获得超大尺寸高质量单晶石墨烯。本发明提出的方法，解决了单晶Cu(111)价格昂贵的问题，并利用衬底的调控作用制备出超大尺寸单晶石墨烯，解决了石墨烯生长中单晶尺寸小、生长过程复杂等技术问题，通过非常简单的方法，实现了铜箔单晶和高质量大尺寸的单晶石墨烯样品的制备。
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