[发明专利]用于IC封装件的热传递结构和方法有效
| 申请号： | 201710984940.2 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN108122867B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 徐英智;艾伦·罗斯;王垂堂;张智援;艾力克·苏宁;陈致霖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种封装结构包括第一封装层、第二封装层和位于第一封装层和第二封装层之间的芯片层。第一封装层包括与第一导热结构电隔离的电信号结构。芯片层包括电连接至电信号结构的集成电路(IC)芯片、模制材料和位于模制材料中的贯通孔。第一导热结构、贯通孔和第二导热结构配置为从IC芯片至第二封装层的芯片层相对的表面的低热阻路径。本发明的实施例还涉及用于IC封装件的热传递结构和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 ic 封装 传递 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种封装结构，包括：第一封装层，包括电信号结构和与所述电信号结构电隔离的第一导热结构；第二封装层，包括第二导热结构；以及芯片层，位于所述第一封装层和所述第二封装层之间，所述芯片层包括：集成电路(IC)芯片，电连接至所述电信号结构；模制材料；以及贯通孔，位于所述模制材料中，其中，所述第一导热结构、所述贯通孔和所述第二导热结构配置为从所述集成电路芯片至所述第二封装层的与所述芯片层相对的表面的低热阻路径。
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