[发明专利]用于IC封装件的热传递结构和方法

说明书

一种封装结构包括第一封装层、第二封装层和位于第一封装层和第二封装层之间的芯片层。第一封装层包括与第一导热结构电隔离的电信号结构。芯片层包括电连接至电信号结构的集成电路(IC)芯片、模制材料和位于模制材料中的贯通孔。第一导热结构、贯通孔和第二导热结构配置为从IC芯片至第二封装层的芯片层相对的表面的低热阻路径。本发明的实施例还涉及用于IC封装件的热传递结构和方法。

技术领域

本发明的实施例涉及用于IC封装件的热传递结构和方法。

背景技术

在集成电路(IC)芯片和封装件中，通过流过各个电路和电连接件的电流产生热量。产生的热量扩散到周围环境中允许各个电路的工作温度保持在规定的温度范围内。

散热取决于包括热源的位置以及热源与周围环境之间的结构元件的导热系数的许多因素。通常，具有相对较低的导电系数的材料具有相对较低的导热系数，并且具有相对较高的导电系数的材料具有相对较高的导热系数。

发明内容

本发明的实施例提供了一种封装结构，包括：第一封装层，包括电信号结构和与所述电信号结构电隔离的第一导热结构；第二封装层，包括第二导热结构；以及芯片层，位于所述第一封装层和所述第二封装层之间，所述芯片层包括：集成电路(IC)芯片，电连接至所述电信号结构；模制材料；以及贯通孔，位于所述模制材料中，其中，所述第一导热结构、所述贯通孔和所述第二导热结构配置为从所述集成电路芯片至所述第二封装层的与所述芯片层相对的表面的低热阻路径。

本发明的另一实施例提供了一种在封装件中传递热量的方法，所述方法包括：将热量从位于封装件的芯片层中的集成电路(IC)芯片传导至所述封装件的第一封装层，所述第一封装层接近所述芯片层；将热量从所述封装件的所述第一封装层传导至位于所述芯片层中的贯通孔；以及将热量从所述贯通孔传导至第二封装层的与所述芯片层相对的表面，其中，将热量传导至所述封装件的所述第一封装层包括将热量传导至与所述集成电路芯片的电信号路径电隔离的第一导热结构，所述第一导热结构位于所述第一封装层中。

本发明的又一实施例提供了一种集成电路(IC)芯片，包括：衬底，包括第一器件和第二器件；电信号路径，从所述第一器件至所述集成电路芯片的顶面；以及低热阻路径，从所述第二器件延伸至所述集成电路芯片的顶面，其中，所述低热阻路径与所述电信号路径电隔离，以及所述第二器件通过低热阻衬底路径热连接至所述第一器件。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1是根据一些实施例的封装结构的图。

图2是根据一些实施例的IC芯片的图。

图3是根据一些实施例的IC结构的图。

图4是根据一些实施例的IC结构的图。

图5是根据一些实施例的IC结构的图。

图6是根据一些实施例的IC结构的图。

图7是根据一些实施例的在封装件中传递热量的方法的流程图。

图8是根据一些实施例的在IC芯片中传递热量的方法的流程图。

图9是根据一些实施例的形成封装结构的方法的流程图。

图10是根据一些实施例的形成IC结构的方法的流程图。

具体实施方式