[发明专利]半导体基底以及半导体元件有效
| 申请号： | 201710963752.1 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN108206210B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 陈智伟;林恒光 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊;王涛 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种半导体基底以及半导体元件。该半导体基底包括基层、配置于基层上的缓冲层、配置于缓冲层上的通道层、配置于通道层上的阻挡层以及埋入于通道层中的埋入式场板区。其中，通道层包括二维电子气，埋入式场板区位于该二维电子气下方。本发明可以有效的分散电极之间高电场的聚集效应，降低工艺的复杂度，以及大幅降低寄生电容对元件的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基底 以及 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体基底，其特征在于，包括：一基层；一缓冲层，配置于该基层上；一通道层，配置于该缓冲层上，其中该通道层包括二维电子气；一阻挡层，配置于该通道层上；以及一埋入式场板区，埋入于该通道层中且位于该二维电子气下方。
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