[发明专利]半导体基底以及半导体元件

权利要求书

1.一种半导体基底，其特征在于，包括：

一基层；

一缓冲层，配置于该基层上；

一通道层，配置于该缓冲层上，其中该通道层包括二维电子气；

一阻挡层，配置于该通道层上；以及

一埋入式场板区，埋入于该通道层中且位于该二维电子气下方；

该埋入式场板区包括一负电区；

该埋入式场板区内更包括位于该负电区侧边的一正电区。

2.如权利要求1所述的半导体基底，其特征在于，该埋入式场板区包括多个分开的区域。

3.如权利要求1所述的半导体基底，其特征在于，该埋入式场板区包括一渐缩端部。

4.一种半导体元件，其特征在于，包括：

一基层；

一缓冲层，配置于该基层上；

一通道层，配置于该缓冲层上；

一埋入式场板区，埋入于该通道层中，且位于通道层中的二维电子气下方；

一阻挡层，配置于该通道层上；以及

一元件层，配置于该阻挡层上，其中该元件层包括一第一电极与一第二电极，且该埋入式场板区在该基层上的投影区域与该第二电极在该基层上的投影区域未重叠；

该埋入式场板区包括一负电区；

该埋入式场板区内更包括位于该负电区侧边的一正电区。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，更包括一第三电极，配置于该第一电极与该第二电极之间，其中该第一电极为一源极，该第二电极为一漏极，且该第三电极为一栅极。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，更包括一P型半导体层，位于该栅极与该阻挡层之间。

7.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，该栅极延伸穿过该阻挡层与该二维电子气。

8.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，该埋入式场板区的边缘与该漏极相隔一水平距离。

9.如权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，该埋入式场板区在该基层上的投影区域与该第一电极在该基层上的投影区域未重叠。

10.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，该埋入式场板区包括：

一第一部分，位于该源极下方；

一第二部分，至少位于该栅极与该漏极之间；以及

一第三部分，连接该第一部分与该第二部分。

11.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，该栅极在该基层上的投影区域不超出该正电区在该基层上的投影区域。

12.如权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，该埋入式场板区靠近该第二电极的平均深度小于该埋入式场板区靠近该第一电极的平均深度。

13.如权利要求12所述的半导体元件，其特征在于，该埋入式场板区包括一渐缩端部。