[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710940635.3 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN108231601B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 余振华;苏安治;吴集锡;叶德强;陈宪伟;陈威宇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置及其形成方法包括：在载体上的第一半导体管芯及第一虚拟管芯、在载体上的第一模塑化合物层以及在第一模塑化合物层上的第一内连结构。第一半导体管芯的厚度大于第一虚拟管芯的厚度。第一模塑化合物层沿第一半导体管芯的侧壁及第一虚拟管芯的侧壁延伸。第一内连结构包括第一金属特征，第一金属特征电耦合到第一半导体管芯，且第一模塑化合物层形成在第一虚拟管芯与第一金属特征之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：将第一半导体管芯及第一虚拟管芯贴合到载体，其中所述第一半导体管芯的厚度大于所述第一虚拟管芯的厚度；在所述载体上形成第一模塑化合物层，所述第一模塑化合物层沿所述第一半导体管芯的侧壁及所述第一虚拟管芯的侧壁延伸；以及在所述第一模塑化合物层上形成第一内连结构，其中：所述第一内连结构包括第一金属特征，所述第一金属特征电耦合到所述第一半导体管芯；且所述第一模塑化合物层形成在所述第一虚拟管芯与所述第一金属特征之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710940635.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
