[发明专利]硅通孔互联结构及其制备方法以及硅通孔射频传输结构在审
| 申请号： | 201710938205.8 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107706173A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 何舒玮;童伟;陈依军;胡柳林;吕继平;王栋;唐仲俊 | 申请（专利权）人： | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/552;H01L23/66;H01L21/768 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙)51229 | 代理人： | 李林合 |
| 地址： | 610016 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅通孔互联结构及其制备方法以及硅通孔射频传输结构，属于集成封装、信号传输领域。硅通孔互联结构包括贯穿于硅衬底的硅通孔、设置于硅通孔的侧壁上的绝缘层、设置于绝缘层表面的金属铜层以及设置于金属铜层表面的钝化层，绝缘层、金属铜层和钝化层形成以硅通孔的中心线为轴线的同轴结构。硅通孔射频传输结构包括硅衬底以及上述的多个硅通孔互联结构，多个硅通孔互联结构设置于硅衬底上。本发明支持芯片级三维层叠集成与封装的同时，解决传统的全铜填充TSV应力较大、高频传输性能不佳的缺点，实现高可靠性、低损耗的射频垂直互联结构。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔互 联结 及其 制备 方法 以及 硅通孔 射频 传输 结构 | ||
【主权项】：
一种硅通孔互联结构，其特征在于，包括贯穿于硅衬底的硅通孔、设置于所述硅通孔的侧壁上的绝缘层、设置于所述绝缘层表面的金属铜层以及设置于所述金属铜层表面的钝化层，所述绝缘层、所述金属铜层和所述钝化层形成以所述硅通孔的中心线为轴线的同轴结构。
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