[发明专利]硅通孔互联结构及其制备方法以及硅通孔射频传输结构

权利要求书

1.一种硅通孔互联结构，其特征在于，包括贯穿于硅衬底的硅通孔、设置于所述硅通孔的侧壁上的绝缘层、设置于所述绝缘层表面的金属铜层以及设置于所述金属铜层表面的钝化层，所述绝缘层、所述金属铜层和所述钝化层形成以所述硅通孔的中心线为轴线的同轴结构。

2.根据权利要求1所述的硅通孔互联结构，其特征在于，所述绝缘层的材质为二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的硅通孔互联结构，其特征在于，所述钝化层的材质为金。

4.根据权利要求1所述的硅通孔互联结构，其特征在于，所述金属铜层的厚度为6-15μm。

5.一种硅通孔射频传输结构，其特征在于，包括：硅衬底以及权利要求1-4任一项所述的多个硅通孔互联结构，多个所述硅通孔互联结构设置于所述硅衬底上。

6.根据权利要求5所述的硅通孔射频传输结构，其特征在于，多个所述硅通孔互联结构在所述硅衬底上形成以其中一个硅通孔互联结构为圆心、其余硅通孔互联结构分布在圆心周围的类同轴结构。

7.根据权利要求5所述的硅通孔射频传输结构，其特征在于，多个所述硅通孔互联结构在所述硅衬底上呈直线排列。

8.权利要求1至4任一项所述的硅通孔互联结构的制备方法，其特征在于，包括：

在硅衬底上蚀刻出贯穿所述硅衬底的硅通孔；

在所述硅通孔的侧壁上设置绝缘层；

在所述绝缘层的表面上设置金属铜层；以及

在所述金属铜层的表面设置钝化层。

9.根据权利要求8所述的硅通孔射频传输结构的制备方法，其特征在于，包括：

采用深反应离子蚀刻工艺在所述硅衬底上蚀刻出多个所述硅通孔；采用氧化工艺在所述硅通孔的侧壁生长出二氧化硅绝缘层；采用电镀工艺在所述二氧化硅绝缘层的表面镀铜，形成所述金属铜层；采用化学镀工艺在所述金属铜层的表面镀金，形成所述钝化层。