[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201710914048.7 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN108231759B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 孙家凯;蔡嘉庆;邱意为;张宏睿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/10 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明关于半导体装置与其形成方法，更特别关于沟槽负载效应降低的半导体装置。本发明提供新颖的多层盖膜，其采用一或多个氧基层以减少半导体装置中的沟槽负载效应。多层盖膜可由金属硬掩模及一或多个氧基层组成。金属硬掩模可由氮化钛形成。氧基层可由四乙氧基硅烷形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一介电层，形成于一基板上；一图案化的氧基层，形成于该介电层上；以及一第一沟槽与一第二沟槽形成于该介电层中，其采用该图案化的氧基层作为掩模，其中该第二沟槽的宽度大于该第一沟槽的宽度，且该第二沟槽的深度与该第一沟槽的深度实质上相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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