[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：在第一区域和第二区域衬底上形成初始功能层；在所述初始功能层上形成初始掩膜层；在所述第一区域初始掩膜层上形成多个分立的第一图形层，分别在去除区和保留区初始掩膜层上形成第二图形层，所述第一图形层沿所述第一方向的尺寸为第一尺寸，所述第二图形层沿所述第一方向的尺寸为第二尺寸，所述第二尺寸等于第一尺寸，相邻第一图形层之间的间距与相邻第二图形层之间的间距相等；进行图形转移处理，形成多个掩膜层。所述形成方法能够改善所形成半导体结构性能，并能够简化工艺流程。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第二区域包括相互分立且交替排列的去除区和保留区，所述去除区和保留区的排列方向为第一方向；在所述第一区域和第二区域衬底上形成初始功能层；在所述初始功能层上形成初始掩膜层；在所述第一区域初始掩膜层上形成多个分立的第一图形层，分别在去除区和保留区初始掩膜层上形成第二图形层，所述第一图形层沿所述第一方向的尺寸为第一尺寸，所述第二图形层沿所述第一方向的尺寸为第二尺寸，所述第二尺寸等于第一尺寸，相邻第一图形层之间的间距与相邻第二图形层之间的间距相等；形成覆盖所述保留区第二图形层侧壁的拓宽层；以所述拓宽层、第一图形层和第二图形层为掩膜对所述初始掩膜层进行刻蚀，形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜对所述初始功能层进行刻蚀，形成功能层；去除所述去除区的功能层。