[发明专利]发光二极管封装件和发光二极管模块在审
申请号: | 201710858991.0 | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN107863336A | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 金明珍;吴光龙;柳承烈 | 申请(专利权)人: | 首尔半导体株式会社 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L25/13;H01L33/48;H01L33/50 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 孙昌浩,李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及发光二极管封装件和发光二极管模块。根据本发明的一实施例的发光二极管封装件包括外壳;第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片,贴装于外壳;以及波长转换部,包含吸收从第一发光二极管芯片释放的光而释放其他波长的光的荧光体,第一发光二极管芯片相比第二发光二极管芯片释放较短的波长的光,荧光体以激发光谱的425nm至475nm中表现的最大峰值下的荧光强度即100为基准,在从第二发光二极管芯片释放的光的峰值波长下具有10以下的荧光强度。根据本发明的实施例,使用释放彼此不同的波长的发光二极管芯片而释放白色光,从而能够减少波长转换部内的荧光体密度,据此能够减少由荧光体引起的非发光吸收,从而可以减少光损失。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 模块 | ||
【主权项】:
一种发光二极管封装件,其中,包括:外壳;第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片,贴装于所述外壳;以及波长转换部,包含吸收从所述第一发光二极管芯片释放的光而释放其他波长的光的荧光体,所述第一发光二极管芯片相比所述第二发光二极管芯片释放较短的波长的光,所述荧光体以激发光谱的425nm至475nm中表现的最大峰值下的荧光强度即100为基准,在从所述第二发光二极管芯片释放的光的峰值波长下具有10以下的荧光强度。
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