[发明专利]发光二极管封装件和发光二极管模块在审
申请号: | 201710858991.0 | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN107863336A | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 金明珍;吴光龙;柳承烈 | 申请(专利权)人: | 首尔半导体株式会社 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L25/13;H01L33/48;H01L33/50 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 孙昌浩,李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 模块 | ||
1.一种发光二极管封装件,其中,包括:
外壳;
第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片,贴装于所述外壳;以及
波长转换部,包含吸收从所述第一发光二极管芯片释放的光而释放其他波长的光的荧光体,
所述第一发光二极管芯片相比所述第二发光二极管芯片释放较短的波长的光,
所述荧光体以激发光谱的425nm至475nm中表现的最大峰值下的荧光强度即100为基准,在从所述第二发光二极管芯片释放的光的峰值波长下具有10以下的荧光强度。
2.一种发光二极管封装件,其中,包括:
外壳,具有第一腔室和第二腔室;
第一发光二极管芯片,贴装于所述第一腔室内;
第二发光二极管芯片,贴装于所述第二腔室内;以及
波长转换部,布置于所述第一腔室内,且使从所述第一发光二极管芯片释放的光的波长转换,
所述第一发光二极管芯片相比于所述第二发光二极管芯片释放较短的波长的光,
从所述第二发光二极管芯片释放的光朝向所述波长转换部的入射被阻断。
3.根据权利要求2所述的发光二极管封装件,其中,
所述波长转换部还包括分散有荧光体的透明树脂,
所述第二腔室布置有未分散有荧光体的透明树脂。
4.根据权利要求1或2所述的发光二极管封装件,其中,
所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片分别释放蓝色光和绿色光。
5.根据权利要求1或2所述的发光二极管封装件,其中,
所述第一发光二极管芯片释放蓝色光,
所述第二发光二极管芯片释放绿色光,
所述波长转换部释放红色光。
6.根据权利要求5所述的发光二极管封装件,其中,
所述蓝色光的峰值波长为440nm至460nm,所述绿色光的峰值波长为515nm至530nm。
7.根据权利要求5所述的发光二极管封装件,其中,
所述荧光体包括由氮化物系荧光体、硫化物系荧光体、氟化物系荧光体和量子点荧光体构成的组中选择的任意一种或它们的组合。
8.根据权利要求5所述的发光二极管封装件,其中,
所述荧光体为氟化物系荧光体,且以所述激发光谱的最大峰值下的荧光强度即100为基准,在从所述第二发光二极管芯片释放的光的峰值波长下具有5以下的荧光强度。
9.根据权利要求5所述的发光二极管封装件,其中,
所述荧光体为量子点荧光体,并包括化合物半导体组,所述化合物半导体组包含由In、Zn、S、Cd、Se和Pb构成的组中选择的任意一种或者它们的组合。
10.根据权利要求5所述的发光二极管封装件,其中,
从所述波长转换部释放的红色光在600nm至660nm中呈现三个以上的峰值。
11.根据权利要求1或2所述的发光二极管封装件,其中,
由所述第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片和波长转换部释放的光的混合来形成白色光。
12.根据权利要求11所述的发光二极管封装件,其中,
以国家电视系统委员会标准为基准测量的色彩饱和度为95%以上。
13.一种发光二极管模块,其中,在基板上贴装有根据权利要求1或2所述的发光二极管封装件。
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