[发明专利]一种异质介质层柔性底栅晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 201710837802.1 | 申请日： | 2017-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN107611172A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 秦国轩;张一波;赵政;党孟娇;王亚楠 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/683;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人： | 杜文茹 |
| 地址： | 300192*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种异质介质层柔性底栅晶体管及制备方法，包括依次设置有柔性PET衬底、栅极ITO导电薄膜、BSM异质介质层和硅纳米薄膜层，硅纳米薄膜层的上端面设置有源极金属、左侧漏极金属以及右侧漏极金属，硅纳米薄膜层和BSM异质介质层内上下贯通的形成有直通到栅极ITO导电薄膜上端面的栅极连接孔，硅纳米薄膜层内嵌入有左侧漏极掺杂区、源极掺杂区和右侧漏极掺杂区。方法是在涂有ITO导电层的PEN衬底上采用磁控溅射的方法涂上一层BSM异质介质栅层作为栅氧，接下来通过设计制备好的掩膜版层层光刻在SOI上转移下来的硅纳米膜上制备栅极与金属电极，本发明能够实现在较高频率工作的高性能柔性异质介质层上的晶体管制备，在大规模柔性集成电路中有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介质 柔性 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种异质介质层柔性底栅晶体管，包括柔性PET衬底(1)和设置在所述柔性PET衬底(1)上端面的栅极ITO导电薄膜(2)，其特征在于，所述栅极ITO导电薄膜(2)上端面设置有BSM异质介质层(3)，所述BSM异质介质层(3)上端面设置有硅纳米薄膜层(4)，所述硅纳米薄膜层(4)的上端面分别设置有：位于中部的源极金属(6)，位于所述源极金属(6)左侧的左侧漏极金属(5)，以及位于所述源极金属(6)右侧的右侧漏极金属(7)，相连接的硅纳米薄膜层(4)和BSM异质介质层(3)内上下贯通的形成有直通到栅极ITO导电薄膜(2)上端面的栅极连接孔(11)，所述的硅纳米薄膜层(4)内嵌入有对应所述左侧漏极金属(5)的左侧漏极掺杂区(8)、对应源极金属(6)的源极掺杂区(9)和对应右侧漏极金属(7)的右侧漏极掺杂区(10)。
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