[发明专利]背照式CMOS传感器的封装方法

摘要

本发明提供一种背照式CMOS传感器的封装方法，包括：重新布线层；背照式CMOS传感器结构，固定连接于所述重新布线层的第二面；逻辑芯片，设置于所述重新布线层的第一面；封装材料，包覆于所述逻辑芯片；穿孔，形成于所述封装材料中；金属引线结构，制作于所述穿孔中，以实现所述重新布线层、所述背照式CMOS传感器结构与所述逻辑芯片的电性引出。本发明采用重新布线层的方法实现背照式CMOS传感器、所述逻辑芯片与所述金属引线结构之间的电连接，具有封装体积小，传感性能及器件可靠性高的优点；只需预先在封装材料中制作金属柱便可实现重新布线层的电性引出，不需要进行硅穿孔等工艺，可以大大节省工艺成本。

主权项

1.一种背照式CMOS传感器的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：/n1)提供一支撑衬底，于所述支撑衬底表面形成分离层；/n2)于所述分离层上形成金属引线结构；/n3)提供逻辑芯片，将所述逻辑芯片粘附于所述分离层上，其中，所述逻辑芯片具有电引出结构的一面朝向所述分离层；/n4)采用封装材料对所述逻辑芯片进行封装；/n5)基于所述分离层分离所述封装材料与所述支撑衬底；/n6)于所述封装材料及逻辑芯片上制作重新布线层，以实现所述逻辑芯片与所述金属引线结构之间的电连接；以及/n7)提供一背照式CMOS传感器结构，将所述背照式CMOS传感器结构固定于所述重新布线层，以实现所述背照式CMOS传感器结构、所述逻辑芯片与所述金属引线结构之间的电性连接；/n其中，所述制作方法还包括使所述金属引线结构露出于所述封装材料的步骤。/n