[发明专利]背照式CMOS传感器的封装方法

权利要求书

1.一种背照式CMOS传感器的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：

1)提供一支撑衬底，于所述支撑衬底表面形成分离层；

2)于所述分离层上形成金属引线结构；

3)提供逻辑芯片，将所述逻辑芯片粘附于所述分离层上，其中，所述逻辑芯片具有电引出结构的一面朝向所述分离层；

4)采用封装材料对所述逻辑芯片进行封装；

5)基于所述分离层分离所述封装材料与所述支撑衬底；

6)于所述封装材料及逻辑芯片上制作重新布线层，以实现所述逻辑芯片与所述金属引线结构之间的电连接；以及

7)提供一背照式CMOS传感器结构，将所述背照式CMOS传感器结构固定于所述重新布线层，以实现所述背照式CMOS传感器结构、所述逻辑芯片与所述金属引线结构之间的电性连接；

其中，所述制作方法还包括使所述金属引线结构露出于所述封装材料的步骤。

2.根据权利要求1所述的背照式CMOS传感器的封装方法，其特征在于：所述支撑衬底包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种；所述分离层包括胶带及聚合物层中的一种，所述聚合物层首先采用旋涂工艺涂覆于所述支撑衬底表面，然后采用紫外固化或热固化工艺使其固化成型。

3.根据权利要求1所述的背照式CMOS传感器的封装方法，其特征在于：所述金属引线结构的高度大于所述逻辑芯片的厚度。

4.根据权利要求1所述的背照式CMOS传感器的封装方法，其特征在于：步骤7)包括：

7-1)提供一正面具有图像传感器的晶圆，将所述晶圆的正面粘附于一保护层后，从背面对所述晶圆进行减薄；

7-2)提供一透明盖板，将所述透明盖板键合于所述晶圆的背面；

7-3)剥离所述保护层，露出所述晶圆正面的图像传感器，以获得所述背照式CMOS传感器结构；以及

7-4)将所述背照式CMOS传感器结构露出有图像传感器的一面固定于所述重新布线层，以实现所述背照式CMOS传感器结构、所述逻辑芯片与所述金属引线结构之间的的电性连接。

5.根据权利要求4所述的背照式CMOS传感器的封装方法，其特征在于：步骤7-1)中，减薄后的所述晶圆的厚度为不大于3μm，以提高所述图像传感器的背面感光强度。

6.根据权利要求4所述的背照式CMOS传感器的封装方法，其特征在于：步骤7-2)中，所述透明盖板基于金锡键合层键合于所述晶圆的背面。

7.根据权利要求1所述的背照式CMOS传感器的封装方法，其特征在于：步骤4)采用封装材料封装所述逻辑芯片的方法包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种，所述封装材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。

8.根据权利要求1所述的背照式CMOS传感器的封装方法，其特征在于：步骤6)制作所述重新布线层为交替进行如下步骤：

采用化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺于所述逻辑芯片及封装材料的平面形成介质层，并对所述介质层进行刻蚀形成图形化的介质层；

采用化学气相沉积工艺、蒸镀工艺、溅射工艺、电镀工艺或化学镀工艺于所述图形化介质层表面形成金属层，并对所述金属层进行刻蚀形成图形化的金属布线层。

9.根据权利要求8所述的背照式CMOS传感器的封装方法，其特征在于：所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合，所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。

10.根据权利要求1所述的背照式CMOS传感器的封装方法，其特征在于：所述金属引线结构包括金属柱、焊料球、及金属柱与焊料凸点所组成的叠层中的一种。

11.根据权利要求8所述的背照式CMOS传感器的封装方法，其特征在于：使所述金属引线结构露出于所述封装材料的方法为于步骤4)、步骤5)、步骤6)或步骤7)中对所述封装材料进行减薄。