[发明专利]掺杂源供应管路及化学气相沉积系统有效
申请号: | 201710773823.1 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN109423695B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 鞠涛;张立国;李哲;范亚明;张泽洪;张宝顺 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C30B29/36;C30B25/14;C30B25/16 |
代理公司: | 南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32297 | 代理人: | 陆明耀 |
地址: | 215125 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示了掺杂源供应管路及化学气相沉积系统,掺杂源供应管路包括载气源以及用于盛装有机金属源的水浴系统,还包括载气输送管路,连接所述载气和水浴系统,以将载气通入到有机金属源内;有机金属源气体输送管路,使水浴系统与反应腔及废弃处理系统连接,并且其与反应腔连接的第一支路上有且仅有一个第一质量流量控制器;稀释管路,连接载气源和有机金属源气体输送管路的主管路,用于对主管路中掺杂源气体的浓度进行稀释。本发明只需要一个质量流量控制器就能够满足掺杂源气体浓度大跨度的调整需求,省去了多个质量流量控制器带来的管路成本,并且输出区域的管路结构更加简洁;同时,浓度的调整更加便利。 | ||
搜索关键词: | 掺杂 供应 管路 化学 沉积 系统 | ||
【主权项】:
1.掺杂源供应管路,包括载气源(1),其特征在于:还包括主气路(4)、稀释管路(5)、有机金属源供应管路(2)和/或氮气供应管路(6),所述主气路(4)连接所述稀释管路(5)、有机金属源供应管路(2)和/或氮气供应管路(6),且所述主气路(4)通过一个第一质量流量控制器(411)控制输入到反应腔的掺杂源供应量,所述稀释管路(5)和有机金属源供应管路(2)分别连接载气源(1)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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