[发明专利]掺杂源供应管路及化学气相沉积系统有效
申请号: | 201710773823.1 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN109423695B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 鞠涛;张立国;李哲;范亚明;张泽洪;张宝顺 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C30B29/36;C30B25/14;C30B25/16 |
代理公司: | 南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32297 | 代理人: | 陆明耀 |
地址: | 215125 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺杂 供应 管路 化学 沉积 系统 | ||
1.掺杂源供应管路,包括载气源(1),其特征在于:还包括主气路(4)、稀释管路(5)、有机金属源供应管路(2)和氮气供应管路(6),所述主气路(4)连接所述稀释管路(5)、有机金属源供应管路(2)和氮气供应管路(6),所述主气路(4)通过一个第一质量流量控制器(411)控制输入到反应腔的掺杂源供应量,所述第一质量流量控制器(411)的流量范围在500-1500sccm之间,所述稀释管路(5)和有机金属源供应管路(2)分别连接载气源(1),所述稀释管路(5)至少包括依次设置在所述主气路(4)和载气源(1)之间的管道上的第一单向阀(52)及第三质量流量控制器(51),所述第三质量流量控制器(51)的流量范围在50-150slm之间;所述有机金属源供应管路(2)包括载气输送管路(3)和反应源输出支路,所述载气输送管路(3)连接载气源(1)和用于盛装有机金属源的水浴系统(21),其管道上设置有第二质量流量控制器(31),所述反应源输出支路连接所述水浴系统(21)及主气路(4);所述第二质量流量控制器(31)的流量范围在500-1500sccm之间;所述氮气供应管路(6)包括氮气源、并联连接氮气源的第一氮气支路(61)、第二氮气支路(62)以及位于氮气输出端的第二单向阀(63),所述第二氮气支路(62)上设置有第四质量流量控制器(621);所述第四质量流量控制器的流量范围在15-30sccm之间;所述主气路(4)及反应源输出支路的管道外围连续或间断设置有加热带;所述主气路(4)包括主气道(43)以及并联在所述主气道(43)上的第一支路(41)及第二支路(42),所述第一支路(41)连接所述反应腔且其上设置所述第一质量流量控制器(411),所述第二支路(42)连接废气处理系统;所述第一支路(41)连接位于反应腔内的反应气体输出管路,所述反应气体输出管路上的出气孔的朝向与反应气体的上升方向相反且背向衬底;所述第二支路(42)包括从主气道到废气处理系统之间的管道上依次设置的第一气动阀(421)、压力流量计(422)、第二气动阀(423)及手动阀(424),所述压力流量计(422)的压力调整范围为0-3000torr之间。
2.根据权利要求1所述的掺杂源供应管路,其特征在于:所述水浴系统输出的有机金属源气体的摩尔流量满足如下公式:
其中,N为有机金属源气体的摩尔流量,单位mol/min,F为载气流量,单位cm3/min,P1为有机金属源的蒸汽压,P2为鼓泡瓶内气体压力,V=22424cm3/mol。
3.化学气相沉积系统,包括气相沉积炉,其特征在于:所述气相沉积炉与权利要求1-2任一所述的掺杂源供应管路连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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