[发明专利]一种改善6英寸SiC晶圆翘曲度的方法有效
| 申请号： | 201710730764.X | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN107464786B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 王珺楠 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L21/603 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种改善6英寸SiC晶圆翘曲度的方法，包括以下步骤：S1、在SiC晶圆的正面和SiC载片的正面旋涂石蜡，并对石蜡进行烘烤；S2、以SiC晶圆旋涂石蜡的一面和SiC载片旋涂石蜡的一面为中间层，将SiC晶圆和SiC载片键合在一起。本发明使用与待处理晶圆相同材质的SiC材料作为载片，并使用石蜡作为键合剂，在SiC晶圆的正面和SiC载片的正面旋涂石蜡，最后键合在一起从而减小SiC晶圆的翘曲度，并可抵抗强硝酸溶解而破坏键合，能够有效的将翘曲度控制在50μm以内，以利于后续的制作工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 英寸 sic 晶圆翘 曲度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善6英寸SiC晶圆翘曲度的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在SiC晶圆的正面和SiC载片的正面旋涂石蜡，并对石蜡进行烘烤；S2、以SiC晶圆旋涂石蜡的一面和SiC载片旋涂石蜡的一面为中间层，将SiC晶圆和SiC载片键合在一起；所述步骤S2中键合工艺具体包括：将所述SiC晶圆正面朝上放置在键合机台上，将用于放置晶圆的顶针固定在SiC晶圆上，将所述SiC载片正面朝下放置在顶针上，SiC晶圆和SiC载片的同圆心率<0.5mm；键合机内真空度控制在1mBar以下，升温至200℃以上，并在SiC载片上施加大小为1000～2200N的压力，施加压力的时间为5min；降温至60℃，恢复气压至大气压，完成键合工艺。
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