[发明专利]一种改善6英寸SiC晶圆翘曲度的方法

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种改善6英寸SiC晶圆翘曲度的方法，包括以下步骤：S1、在SiC晶圆的正面和SiC载片的正面旋涂石蜡，并对石蜡进行烘烤；S2、以SiC晶圆旋涂石蜡的一面和SiC载片旋涂石蜡的一面为中间层，将SiC晶圆和SiC载片键合在一起。本发明使用与待处理晶圆相同材质的SiC材料作为载片，并使用石蜡作为键合剂，在SiC晶圆的正面和SiC载片的正面旋涂石蜡，最后键合在一起从而减小SiC晶圆的翘曲度，并可抵抗强硝酸溶解而破坏键合，能够有效的将翘曲度控制在50μm以内，以利于后续的制作工艺。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种改善6英寸SiC晶圆翘曲度的方法。

背景技术

作为第三代宽禁带化合物半导体器件的AlGaN/GaN HEMT在功率输出、频率特性等方面具有优良的特性，使其在高温、高频、大功率器件方面有着很好的应用前景，目前在国内外得到了广泛的研究。

选用SiC作为AlGaN/GaN HEMT的首选衬底材料从而制造出SiC基AlGaN/GaN HEMT器件。SiC基AlGaN/GaN HEMT器件需要减薄并刻蚀通孔接地，以改善器件的频率特性和可靠性，方便微波单片集成电路的设计制作，目前SiC基AlGaN/GaN HEMT器件的通孔是对SiC基AlGaN/GaN晶圆进行干法刻蚀形成。目前SiC晶圆的制备都停留在4英寸及其以下尺寸，申请人作为全亚洲第一条GaN化合物半导体生产线，率先开展6英寸SiC基GaN功率半导体器件的研制，但是在翘曲度控制方面受到了极大的阻碍。

目前业内对于4英寸的SiC材料背面工艺采用的方法主要是将4英寸SiC键合在4.15英寸的蓝宝石上，通常的翘曲度会控制在30μm以下。但是对于6英寸SiC材料来说，受限于其生长技术，SiC材料的衬底本身翘曲就有10μm左右，再加上GaN外延层造成的应力拉伸，使得翘曲度增加到50μm左右，这已经是国内最好的水平了。再经过一般的键合工艺之后，翘曲度将会增加到70μm以上，如此大的翘曲度会对晶圆背面工艺造成很大的影响。然而目前没有能有效降低6英寸SiC基GaN功率半导体器件翘曲度的方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可以将翘曲度控制在50μm以内的改善6英寸SiC晶圆翘曲度的方法。

为达到上述要求，本发明采取的技术方案是：提供一种改善6英寸SiC晶圆翘曲度的方法，包括以下步骤：

S1、在SiC晶圆的正面和SiC载片的正面旋涂石蜡，并对石蜡进行烘烤；

S2、以SiC晶圆旋涂石蜡的一面和SiC载片旋涂石蜡的一面为中间层，将SiC晶圆和SiC载片键合在一起。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：使用与待处理晶圆相同材质的SiC材料作为载片，并使用石蜡作为键合剂，在SiC晶圆的正面和SiC载片的正面旋涂石蜡，最后键合在一起从而减小SiC晶圆的翘曲度，并可抵抗强硝酸溶解而破坏键合，能够有效的将翘曲度控制在50μm以内，以利于后续的制作工艺。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，在这些附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本发明的流程示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图及具体实施例，对本申请作进一步地详细说明。为简单起见，以下描述中省略了本领域技术人员公知的某些技术特征。

如图1所示，本实施例提供一种改善6英寸SiC晶圆翘曲度的方法，包括以下步骤：

S0、对SiC晶圆和SiC载片进行清洗，去除晶圆表面的颗粒物质等；具体为：