[发明专利]一种改善6英寸SiC晶圆翘曲度的方法有效

专利信息
申请号: 201710730764.X 申请日: 2017-08-23
公开(公告)号: CN107464786B 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 王珺楠 申请(专利权)人: 成都海威华芯科技有限公司
主分类号: H01L23/14 分类号: H01L23/14;H01L21/603
代理公司: 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 代理人: 徐丰;张巨箭
地址: 610029 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 改善 英寸 sic 晶圆翘 曲度 方法
【权利要求书】:

1.一种改善6英寸SiC晶圆翘曲度的方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、在SiC晶圆的正面和SiC载片的正面旋涂石蜡,并对石蜡进行烘烤;

S2、以SiC晶圆旋涂石蜡的一面和SiC载片旋涂石蜡的一面为中间层,将SiC晶圆和SiC载片键合在一起;

所述步骤S2中键合工艺具体包括:

将所述SiC晶圆正面朝上放置在键合机台上,将用于放置晶圆的顶针固定在SiC晶圆上,将所述SiC载片正面朝下放置在顶针上,SiC晶圆和SiC载片的同圆心率<0.5mm;

键合机内真空度控制在1mBar以下,升温至200℃以上,并在SiC载片上施加大小为1000~2200N的压力,施加压力的时间为5min;

降温至60℃,恢复气压至大气压,完成键合工艺。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤S1之前还包括对所述SiC晶圆和所述SiC载片进行清洗的步骤。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述清洗方式具体为:

使用IPA溶液冲洗所述SiC晶圆和所述SiC载片,冲洗时间为3min;

冲洗完毕后对SiC晶圆和SiC载片进行水浴浸泡以去除IPA溶液;

水浴浸泡后对SiC晶圆和SiC载片在N2氛围中进行干燥,干燥温度为80℃,并对SiC晶圆和SiC载片进行甩干,甩干转速为2000rpm,甩干时间为5min。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述IPA溶液组分为IPA:H2O=9:1。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤S2之后还包括对键合后的所述SiC晶圆和所述SiC载片进行检查的步骤,检查是否存在气泡和裂纹。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S1中SiC晶圆正面旋涂的石蜡厚度为10~13μm,均匀性<5%。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S1中SiC载片正面旋涂的石蜡厚度为10~13μm,均匀性<5%。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S1中烘烤的温度为150℃,烘烤时间为600s。

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