[发明专利]一种改善6英寸SiC晶圆翘曲度的方法有效
申请号: | 201710730764.X | 申请日: | 2017-08-23 |
公开(公告)号: | CN107464786B | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 王珺楠 | 申请(专利权)人: | 成都海威华芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/14 | 分类号: | H01L23/14;H01L21/603 |
代理公司: | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 徐丰;张巨箭 |
地址: | 610029 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改善 英寸 sic 晶圆翘 曲度 方法 | ||
1.一种改善6英寸SiC晶圆翘曲度的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、在SiC晶圆的正面和SiC载片的正面旋涂石蜡,并对石蜡进行烘烤;
S2、以SiC晶圆旋涂石蜡的一面和SiC载片旋涂石蜡的一面为中间层,将SiC晶圆和SiC载片键合在一起;
所述步骤S2中键合工艺具体包括:
将所述SiC晶圆正面朝上放置在键合机台上,将用于放置晶圆的顶针固定在SiC晶圆上,将所述SiC载片正面朝下放置在顶针上,SiC晶圆和SiC载片的同圆心率<0.5mm;
键合机内真空度控制在1mBar以下,升温至200℃以上,并在SiC载片上施加大小为1000~2200N的压力,施加压力的时间为5min;
降温至60℃,恢复气压至大气压,完成键合工艺。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤S1之前还包括对所述SiC晶圆和所述SiC载片进行清洗的步骤。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述清洗方式具体为:
使用IPA溶液冲洗所述SiC晶圆和所述SiC载片,冲洗时间为3min;
冲洗完毕后对SiC晶圆和SiC载片进行水浴浸泡以去除IPA溶液;
水浴浸泡后对SiC晶圆和SiC载片在N2氛围中进行干燥,干燥温度为80℃,并对SiC晶圆和SiC载片进行甩干,甩干转速为2000rpm,甩干时间为5min。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述IPA溶液组分为IPA:H2O=9:1。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤S2之后还包括对键合后的所述SiC晶圆和所述SiC载片进行检查的步骤,检查是否存在气泡和裂纹。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S1中SiC晶圆正面旋涂的石蜡厚度为10~13μm,均匀性<5%。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S1中SiC载片正面旋涂的石蜡厚度为10~13μm,均匀性<5%。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S1中烘烤的温度为150℃,烘烤时间为600s。
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