[发明专利]晶体管、半导体器件以及半导体模块有效
| 申请号： | 201710696917.3 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN107256889B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 许基宰;山田悟;林濬熙;张成豪 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了晶体管、半导体器件以及半导体模块，具体提供了一种包括埋设的单元阵列晶体管的半导体器件和包括该半导体器件的电子器件。所述半导体器件包括衬底中的场区，并且场区限定了有源区。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区处于有源区中。栅极沟槽处于第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间，并且处于有源区和场区中。栅极结构处于栅极沟槽内。栅极结构包括栅极电极、栅极电极上的绝缘栅极加盖图案、栅极电极与有源区之间的栅极电介质以及绝缘栅极加盖图案与有源区之间的含金属绝缘材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 半导体器件 以及 半导体 模块 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底中的用于限定有源区的场区；所述有源区中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；所述有源区和所述场区中的栅极沟槽，其中所述栅极沟槽处于所述第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间；以及所述有源区和所述场区中的栅极沟槽内的栅极结构，其中，所述栅极结构包括：栅极电极,其包括位于所述栅极沟槽内的第一导电图案和所述第一导电图案上的第二导电图案；所述栅极电极上的绝缘栅极加盖图案；以及所述栅极电极与所述有源区之间的栅极电介质；其中，形成所述第一导电图案的导电材料的电阻率低于形成所述第二导电图案的导电材料的电阻率。
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