[发明专利]晶体管、半导体器件以及半导体模块

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底中的用于限定有源区的场区；

所述有源区中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；

所述有源区和所述场区中的栅极沟槽，其中所述栅极沟槽处于所述第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间；以及

所述有源区和所述场区中的栅极沟槽内的栅极结构，

其中，所述栅极结构包括：

栅极电极,其包括位于所述栅极沟槽内的第一导电图案和所述第一导电图案上的第二导电图案；

所述栅极电极上的绝缘栅极加盖图案；

至少位于所述绝缘栅极加盖图案的侧表面上的含金属绝缘层；以及

所述栅极电极与所述有源区之间的栅极电介质；

其中，形成所述第一导电图案的导电材料的电阻率低于形成所述第二导电图案的导电材料的电阻率，并且

其中，所述第二源极/漏极区具有邻近所述第二导电图案的第一部分和邻近所述绝缘栅极加盖图案的第二部分，并且所述第一部分比所述第二部分具有更低的掺杂剂浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电图案包括钨，第二导电图案包括掺入杂质的多晶硅。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极区、第二源极/漏极区和所述杂质具有相同的导电类型。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电图案的垂直厚度大于所述第二导电图案的垂直厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电图案的垂直厚度小于所述绝缘栅极加盖图案的垂直厚度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，与距离所述有源区的能带图的导带或价带相比，所述第一导电图案的费米能级更靠近所述有源区的禁带中央能量。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一部分的垂直厚度小于所述第二部分的垂直厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，形成所述第一导电图案的材料的功函数与形成所述第二导电图案的材料的功函数不同。

9.一种半导体器件，包括：

衬底中的用于限定有源区的场区；

所述有源区中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；

所述有源区和所述场区中的栅极沟槽，其中所述栅极沟槽处于所述第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间；以及

所述有源区和所述场区中的栅极沟槽内的栅极结构，

其中，所述栅极结构包括：

栅极电极,其包括位于所述栅极沟槽内的第一导电图案和所述第一导电图案上的第二导电图案；

所述栅极电极上的绝缘栅极加盖图案；

至少位于所述绝缘栅极加盖图案的侧表面上的含金属绝缘层；以及

所述栅极电极与所述有源区之间的栅极电介质；

其中，与距离所述有源区的能带图的导带或价带相比，所述第一导电图案的费米能级更靠近所述有源区的禁带中央能量，并且

其中，所述第二源极/漏极区具有邻近所述第二导电图案的第一部分和邻近所述绝缘栅极加盖图案的第二部分，并且所述第一部分比所述第二部分具有更低的掺杂剂浓度。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，形成所述第一导电图案的导电材料的电阻率低于形成所述第二导电图案的导电材料的电阻率。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一导电图案包括钨，第二导电图案包括掺入杂质的多晶硅。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极区、第二源极/漏极区和所述杂质具有相同的导电类型。

13.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一导电图案的垂直厚度大于所述第二导电图案的垂直厚度。