[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201710695318.X | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107331652A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 高柳浩二 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/528;H01L23/544;H01L25/065;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,崔卿虎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例涉及半导体器件。根据本发明的半导体器件包括通孔，形成为穿透半导体衬底；第一缓冲器电路和第二缓冲器电路；布线形成层，形成在所述半导体衬底的上层中；连接布线部分，假设从所述半导体衬底到所述布线形成层的方向为向上方向，则所述连接布线部分形成在所述通孔的上部，所述连接布线部分在芯片内端面上，该芯片内端面为所述通孔的面对所述半导体衬底的上部部分的端面；第一路径，连接所述第一缓冲器电路和所述通孔；以及第二路径，连接所述第二缓冲器电路和所述通孔。所述第一路径和所述第二路径经由所述连接布线部分电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；通孔，具有第三表面和与所述第三表面相对的第四表面，并且穿透所述半导体衬底；第一布线和第二布线，布置在所述第一表面上方；第一缓冲器电路，经由所述第一布线电连接到所述通孔；第二缓冲器电路，经由所述第二布线电连接到所述通孔；测试电路，电连接到所述第一缓冲器电路和所述第二缓冲器电路；其中所述第一布线和所述第二布线直接连接到所述通孔的所述第三表面，其中所述第一布线和所述第二布线布置在所述通孔的所述第三表面的正上方，使得所述第一布线和所述第二布线与所述第三表面重叠。
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