[发明专利]阵列基板及其制作方法、提高膜层间的粘附性的方法在审
申请号: | 201710695063.7 | 申请日: | 2017-08-15 |
公开(公告)号: | CN107591359A | 公开(公告)日: | 2018-01-16 |
发明(设计)人: | 高冬子 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人: | 孙伟峰,武岑飞 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种阵列基板的制作方法,其包括步骤提供一基板在基板上形成栅极;在基板和栅极上形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层上形成半导体材料层;对半导体材料层的表面进行粗糙化处理;在半导体材料层上形成源漏极金属层;对源漏极金属层和半导体材料层进行曝光、显影以及刻蚀处理,以在栅极绝缘层上形成有源层且在有源层和栅极绝缘层上形成彼此间隔的源极和漏极;在有源层、栅极绝缘层、源极和漏极上形成钝化层;在钝化层中形成暴露漏极的过孔;在钝化层上形成通过过孔与漏极接触的像素电极。本发明通过对有源层的表面进行粗造化处理,可以提高源极、漏极与有源层的黏附力,从而不会出现断线现象,进而提高阵列基板的良率。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 提高 膜层间 粘附 方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括步骤:提供一基板:在所述基板上形成栅极;在所述基板和所述栅极上形成栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成半导体材料层;对所述半导体材料层的表面进行粗糙化处理;在所述半导体材料层上形成源漏极金属层;对所述源漏极金属层和所述半导体材料层进行曝光、显影以及刻蚀处理,以在所述栅极绝缘层上形成有源层且在所述有源层上形成彼此间隔的源极和漏极;在所述有源层、所述栅极绝缘层、所述源极和所述漏极上形成钝化层;在所述钝化层中形成暴露所述漏极的过孔;在所述钝化层上形成通过所述过孔与所述漏极接触的像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造