[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明的实施方式提供一种高集成度的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1电极膜及第2电极膜，沿着第1方向及第2方向扩展；第1绝缘板，沿着第2方向上相互隔开的两列而配置，在各列中沿着第1方向间断地配置；第2绝缘板，设置于两列间，沿着n列而配置，在各列中沿着第1方向间断地配置；第3绝缘板，设置于两列中的一列与由第2绝缘板组成的列之间，沿着第1方向间断地配置；第1绝缘部件，设置于第1绝缘板与第3绝缘板之间；以及第2绝缘部件，设置于第2绝缘板与第3绝缘板之间。第1电极膜在两列间被分割为两个部分。第2电极膜在两列间被分割为{(n+1)×2}个部分。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：第1电极膜，沿着第1方向及相对于所述第1方向交叉的第2方向扩展；第2电极膜，设置在相对于所述第1电极膜中的除所述第1方向两侧的第1端部及第2端部以外的部分为与包含所述第1方向及所述第2方向的平面交叉的第3方向侧；第1绝缘板，沿着所述第2方向上相互隔开的两列而配置，在各所述列中沿着所述第1方向间断地配置，在所述第3方向上贯通所述第1电极膜及所述第2电极膜；第2绝缘板，设置于所述两列间，沿着所述第2方向上相互隔开的n列(n为1以上的整数)而配置，在各所述列中沿着所述第1方向间断地配置，在所述第3方向上贯通所述第1电极膜及所述第2电极膜；第3绝缘板，设置于所述两列中的一列与由所述第2绝缘板组成的列之间，沿着所述第1方向间断地配置，在所述第3方向上贯通所述第1电极膜及所述第2电极膜；第1绝缘部件，设置于所述第1绝缘板与所述第3绝缘板之间，与所述第1绝缘板及所述第3绝缘板相接，在所述第3方向上贯通所述第1电极膜及所述第2电极膜；第2绝缘部件，设置于所述第2绝缘板与所述第3绝缘板之间，与所述第2绝缘板及所述第3绝缘板相接，在所述第3方向上贯通所述第1电极膜及所述第2电极膜；半导体部件，在所述第3方向上延伸；以及电荷储存部件，设置于所述第1电极膜中的除所述第1端部及所述第2端部以外的部分与所述半导体部件之间；所述第1电极膜在所述两列间，被所述第2绝缘板、所述第3绝缘板、所述第1绝缘部件及所述第2绝缘部件分割为相互绝缘的两个部分，所述第2电极膜在所述两列间，被所述第2绝缘板、所述第3绝缘板、所述第1绝缘部件及所述第2绝缘部件分割为相互绝缘的{(n+1)×2}个部分。