[发明专利]半导体模块及半导体模块的制造方法有效

专利信息
申请号: 201710622730.9 申请日: 2017-07-27
公开(公告)号: CN107818955B 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 唐沢达也 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 金玉兰;王颖
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供端子不存在金属被膜的裂纹的半导体模块及其制造方法。半导体模块具备:半导体元件;端子,其在表面形成有金属被膜,且具有弯曲部;树脂外壳,其固定端子,形成有与端子相对的贯通孔,且收置半导体元件;紧固部,其设置于贯通孔内;以及支撑部,其设置于贯通孔内,且支撑紧固部。半导体模块的制造方法包括:弯曲加工阶段,对端子进行弯曲加工;镀覆处理阶段,对进行了弯曲加工的端子进行镀覆处理;树脂成型阶段,在将进行了镀覆处理的端子装填于成型模具之后将树脂注入于成型模具,使形成有与端子相对的贯通孔的树脂外壳成型;插入阶段,将紧固部和支撑该紧固部的支撑部插入于贯通孔;以及封装阶段,将半导体元件收置封装于树脂外壳内。
搜索关键词: 半导体 模块 制造 方法
【主权项】:
一种半导体模块,其特征在于,具备:半导体元件;端子,其在表面形成有金属被膜,且具有弯曲部;树脂外壳,其固定所述端子,形成有与所述端子相对的贯通孔,且收置所述半导体元件;紧固部,其设置于所述贯通孔内;以及支撑部,其设置于所述贯通孔内,且支撑所述紧固部。
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