[发明专利]半导体装置的形成方法

摘要

于一形成图案的方法中，形成包括底层、中间层以及第一罩幕层的堆迭结构。上述中间层包括第一盖层、中介层以及第二盖层。使用第一抗蚀图案作为蚀刻罩幕以图案化上述第一罩幕层。使用上述图案化的第一罩幕层作为蚀刻罩幕以图案化上述第二盖层。形成第二罩幕层于上述图案化的第二盖层之上，并使用第二抗蚀图案作为蚀刻罩幕以图案化上述第二罩幕层。使用上述图案化的第二罩幕层作为蚀刻罩幕以图案化上述第二盖层。使用上述图案化的第二盖层作为蚀刻罩幕以图案化上述中介层及第一盖层。使用上述图案化的第一盖层作为蚀刻罩幕以图案化上述底层。

主权项

1.一种半导体装置的形成方法，包括:于一半导体基板上形成一堆迭结构，包括一底层、一设置于该底层上的中间层以及一设置于该中间层上的第一罩幕层，其中该中间层包括一设置于该底层上的第一盖层、一设置于该第一盖层上的中介层以及一设置于该中介层上的第二盖层；使用一第一抗蚀图案作为蚀刻罩幕以图案化该第一罩幕层；使用该图案化的第一罩幕层作为蚀刻罩幕以图案化该第二盖层；形成一第二罩幕层于该图案化的第二盖层上，其中该第二盖层已通过使用该图案化的第一罩幕层而被图案化；使用一第二抗蚀图案作为蚀刻罩幕以图案化该第二罩幕层；使用该图案化的第二罩幕层作为蚀刻罩幕以图案化该第二盖层，其中该第二盖层已通过使用该图案化的第一罩幕层而被图案化；使用该图案化的第二盖层作为蚀刻罩幕以图案化该中介层及该第一盖层，其中该第二盖层已通过使用该图案化的第二罩幕层而被图案化；以及使用该图案化的第一盖层作为蚀刻罩幕以图案化该底层。