[发明专利]半导体装置的形成方法

说明书

于一形成图案的方法中，形成包括底层、中间层以及第一罩幕层的堆迭结构。上述中间层包括第一盖层、中介层以及第二盖层。使用第一抗蚀图案作为蚀刻罩幕以图案化上述第一罩幕层。使用上述图案化的第一罩幕层作为蚀刻罩幕以图案化上述第二盖层。形成第二罩幕层于上述图案化的第二盖层之上，并使用第二抗蚀图案作为蚀刻罩幕以图案化上述第二罩幕层。使用上述图案化的第二罩幕层作为蚀刻罩幕以图案化上述第二盖层。使用上述图案化的第二盖层作为蚀刻罩幕以图案化上述中介层及第一盖层。使用上述图案化的第一盖层作为蚀刻罩幕以图案化上述底层。

技术领域

本公开实施例涉及一种形成半导体集成电路的方法，且特别有关于一种使用多层罩幕结构的图案化的方法。

背景技术

随着半导体工业进入纳米技术制程节点以追求高装置密度、高效能及低成本，在生产及设计上产生了更大的挑战。举例而言，多层罩幕结构是被用来形成接触孔(导孔)及/或金属连接。上述金属连接位于设置于半导体装置(例如:场效晶体管)上的层间介电层中且/或穿过上述层间介电层。

发明内容

本公开实施例包括一种半导体装置的形成方法，其包括形成堆迭结构于半导体基板上。上述堆迭结构包括底层、设置于底层上的中间层以及设置于中间层上的第一罩幕层。上述中间层包括设置于上述底层上的第一盖层、设置于上述第一盖层上的中介层以及设置于上述中介层上的第二盖层。上述方法亦包括使用第一抗蚀图案作为蚀刻罩幕以图案化上述第一罩幕层、使用上述图案化的第一罩幕层作为蚀刻罩幕以图案化上述第二盖层、形成第二罩幕层于上述已通过使用图案化的第一罩幕层而被图案化的第二盖层上、使用第二抗蚀图案作为蚀刻罩幕以图案化上述第二罩幕层、使用上述图案化的第二罩幕层作为蚀刻罩幕以图案化上述已通过使用图案化的第一罩幕层而被图案化的第二盖层、使用上述已通过使用图案化的第二罩幕层而被图案化的第二盖层作为蚀刻罩幕以图案化上述中介层及第一盖层以及使用上述图案化的第一盖层作为蚀刻罩幕以图案化上述底层。

本公开实施例亦包括一种半导体装置的形成方法，其包括形成堆迭结构于半导体基板上。上述堆迭结构包括底层、设置于上述底层上的中间层以及设置于上述中间层上的第一罩幕层。上述中间层包括设置于上述底层上的第一盖层、设置于上述第一盖层上的中介层以及设置于上述中介层上的第二盖层。上述方法亦包括使用形成于第一罩幕层上的第一抗蚀图案作为蚀刻罩幕以图案化第一罩幕层、使用上述图案化的第一罩幕层作为蚀刻罩幕以图案化第二盖层、形成第二罩幕层于上述已通过使用图案化的第一罩幕层而被图案化的第二盖层上、使用形成于第二罩幕层上的第二抗蚀图案作为蚀刻罩幕以图案化第二罩幕层、使用上述图案化的第二罩幕层作为蚀刻罩幕以图案化上述已通过使用图案化的第一罩幕层而被图案化的第二盖层、形成第三罩幕层于上述已通过使用图案化的第二罩幕层而被图案化的第二盖层上、使用形成于第三罩幕层上的第三抗蚀图案作为蚀刻罩幕以图案化上述第三罩幕层、使用上述图案化的第三罩幕层作为蚀刻罩幕以图案化上述已通过使用图案化的第二罩幕层而被图案化的第二盖层、使用上述已通过使用图案化的第三罩幕层而被图案化的第二盖层作为蚀刻罩幕以图案化上述中介层及第一盖层以及使用上述图案化的第一盖层作为蚀刻罩幕以图案化上述底层。

本公开实施例还包括一种半导体装置的形成方法，其包括形成堆迭结构于半导体基板上。上述堆迭结构包括底层、设置于上述底层上的中间层以及设置于上述中间层上的第一罩幕层。上述中间层包括设置于底层上的第一盖层、设置于第一盖层上的中介层以及设置于上述中介层上的第二盖层。上述方法亦包括使用第一抗蚀图案作为蚀刻罩幕以图案化第一罩幕层、使用上述图案化的第一罩幕层作为蚀刻罩幕以图案化上述第二盖层、形成第二罩幕层于上述已通过使用图案化的第一罩幕层而被图案化的第二盖层上、使用第二抗蚀图案作为蚀刻罩幕以图案化上述第二罩幕层、使用上述图案化的第二罩幕层作为蚀刻罩幕以图案化上述已通过使用图案化的第一罩幕层而被图案化的第二盖层、使用上述已通过使用图案化的第二罩幕层而被图案化的第二盖层作为蚀刻罩幕以图案化上述中介层以及第一盖层、形成块状间隔物层于上述图案化的中介层及第一盖层中并形成侧壁间隔物于上述图案化的中介层及第一盖层的侧壁上。上述中介层是由非晶硅所形成。

附图说明