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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]图案形成方法和用于制造半导体器件的方法-CN201911042983.4有效
发明人：李奕璋;林建宏;陈志壕;吴英豪;陈文彦;曾世华;孙书辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本公开涉及图案形成方法和用于制造半导体器件的方法。在图案形成方法中，在要被图案化的目标层上方形成光致抗蚀剂图案。在光致抗蚀剂图案上形成延伸材料层。通过至少使用延伸材料层作为蚀刻掩模来图案化目标层。
图案形成方法用于制造半导体器件

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN201910155980.5有效
发明人：林建宏;李奕璋;朱哲慷;陈志壕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本公开的一实施例是一种半导体结构的制造方法。此方法包含利用设置在图案界定层上的多层结构的使用。在一些实施例中，一种半导体结构的制造方法包含在图案界定层上形成第一多层结构，图案界定层设置在基板上的薄膜堆叠上。此方法还包含将第一多层结构图案化，以在第一多层结构中形成孔隙。此方法还包含通过由第一多层结构所界定的孔隙在图案界定层中形成第一切割开口。此方法进一步包含在图案界定层上形成第二多层结构，第二多层结构的一部分设置在第一切割开口中。
半导体结构制造方法

[实用新型]一种环保一体化饲料超微粉碎系统-CN202221299134.4有效
发明人：邓威;阮李胜;陈志壕;吴明鑫 -专利权人：广东澜峰智能科技有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： B02C23/14 文献下载
摘要：本实用新型公开一种环保一体化饲料超微粉碎系统，包括上层及下层，所述下层上设置有超微粉碎机、筛分装置、环保冷却箱和循环冷却系统，所述超微粉碎机进风口与环保冷却箱连接，所述环保冷却箱的另一端设置有循环风机，所述循环冷却系统的进出口与所述环保冷却箱连接，所述上层设置有防爆脉冲布袋除尘器和旋风除尘器，所述上层的底部设置有固定台，所述固定台上设置有螺旋输送机，本系统一体化设计，减少占地面积和厂房投资，整个风路系统封闭循环，可以实现超微粉碎的废气零排放，此外排湿风机能保证系统内循环空气相对干燥，提高粉碎的效果，循环冷却系统能对流入环保冷却箱中的循环风进行冷却。
一种环保一体化饲料粉碎系统

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210114059.8在审
发明人：黄彦之;孙立安;蔡哲恩;江祐鳞;黄崇铨;陈志壕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种方法包括：在导电部件上方形成第一蚀刻停止层(ESL)，在第一ESL上形成第一介电层，在第一介电层上形成第二ESL，在第二ESL上形成第二介电层，在第二介电层中形成沟槽，在沟槽的底面中形成延伸穿过第二介电层的第一开口，以及在第一开口的底面中形成第二开口。第二开口延伸穿过第一介电层和第一ESL。第二开口暴露导电部件的顶面。该方法还包括加宽第一开口至第二宽度，用导电材料填充沟槽以形成导线，以及用导电材料填充第二开口和第一开口以形成导电通孔。本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[实用新型]一种多仓位进料的喂料器-CN202123323138.X有效
发明人：阮李胜;陈志壕;吴龙兵;彭江;李金成 -专利权人：广东澜峰智能科技有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： B65G65/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多仓位进料的喂料器，包括输送仓，所述输送仓上设有对将物料运输至输送仓的第一运料机构，输送仓的左右两侧分别设有将物料运输至输送仓的第二运料机构，所述第一运料机构包括第一进料仓，第一进料仓竖直安装在输送仓上，并连通输送仓，第一进料仓内横向设有第一进料转轴，第一进料转轴外设有用于将物料导入第一进料仓的第一进料杆，通过第二进料仓，使得物料可以通过第二进料口进行多个入口进行入料，从而可以实现大范围产能的调控，实现不同产能范围的进料模式，适用于多种膨化机，也适用于同一种膨化机的不同配置，达到控制精准，喂料平顺的目的。
一种仓位进料喂料

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201710607116.5有效
发明人： 陈志壕;陈文彦;梁明中;谢志宏;孙书辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：于一形成图案的方法中，形成包括底层、中间层以及第一罩幕层的堆迭结构。上述中间层包括第一盖层、中介层以及第二盖层。使用第一抗蚀图案作为蚀刻罩幕以图案化上述第一罩幕层。使用上述图案化的第一罩幕层作为蚀刻罩幕以图案化上述第二盖层。形成第二罩幕层于上述图案化的第二盖层之上，并使用第二抗蚀图案作为蚀刻罩幕以图案化上述第二罩幕层。使用上述图案化的第二罩幕层作为蚀刻罩幕以图案化上述第二盖层。使用上述图案化的第二盖层作为蚀刻罩幕以图案化上述中介层及第一盖层。使用上述图案化的第一盖层作为蚀刻罩幕以图案化上述底层。
半导体装置形成方法

[实用新型]一种膨化机刀盘调校装置-CN202121953565.3有效
发明人： 陈志壕;邓威;李金成;彭江;吴龙兵 -专利权人：广东澜峰智能科技有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： B07C5/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种膨化机刀盘调校装置，包括校正座，所述校正座上设有活动板，活动板与校正座翻转配合，当活动板向前翻动与校正座垂直顶面时，活动板通过固定销固定，活动板内穿有活动杆，活动杆用于固定切割部件，活动杆的末端设有可拆卸的固定把手，当活动板向前翻转至与校正座垂直时，切割部件安装在活动杆外时，切割部件通过固定把手进行固定；通过校正座与活动板，当切割部件安装在活动板上时，活动板背面翻转至与校正座顶面成垂直关系，通过观察切割部件的刀片刀刃接触面与活动板表面的贴合度，从而筛选出磨损严重或刀刃位置异常的刀片，对切割部件的刀片位置进行校正，避免后续切割部件安装后出现严重的误差。
一种膨化机刀盘调校装置

[发明专利]用于半导体器件的图案化方法和由此产生的结构-CN202110786715.4在审
发明人：彭泰彦;陈文彦;陈志壕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该方法包括在目标层上方形成第一掩模层，在第一掩模层上方形成多个间隔件，在多个间隔件上方形成第二掩模层，并图案化第二掩模层以形成第一开口，其中，在平面图中，开口的主轴在与多个间隔件中的间隔件的主轴垂直的方向上延伸。该方法还包括在开口中沉积牺牲材料，图案化牺牲材料，使用多个间隔件和图案化的牺牲材料蚀刻第一掩模层，使用蚀刻的第一掩模层蚀刻目标层以在目标层中形成第二开口，并且用导电材料填充目标层中的第二开口。
用于半导体器件图案方法由此产生结构

[发明专利]用于半导体器件的图案化方法和由此产生的结构-CN201811355245.0有效
发明人：彭泰彦;陈文彦;陈志壕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该方法包括在目标层上方形成第一掩模层，在第一掩模层上方形成多个间隔件，在多个间隔件上方形成第二掩模层，并图案化第二掩模层以形成第一开口，其中，在平面图中，开口的主轴在与多个间隔件中的间隔件的主轴垂直的方向上延伸。该方法还包括在开口中沉积牺牲材料，图案化牺牲材料，使用多个间隔件和图案化的牺牲材料蚀刻第一掩模层，使用蚀刻的第一掩模层蚀刻目标层以在目标层中形成第二开口，并且用导电材料填充目标层中的第二开口。
用于半导体器件图案方法由此产生结构

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201810195046.1有效
发明人：林建宏;范振礼;陈志壕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件及其形成方法，公开了一种用于减少线的摆动的方法，该方法包括在衬底上方形成硅图案化层并且在硅图案化层上方沉积掩模层。掩模层被图案化以在其中形成一个或多个开口。掩模层被薄化并且一个或多个开口被加宽，以提供较小的高宽比。然后掩模层的图案被用来图案化硅图案化层。硅图案化层进而被用来图案化将在其中形成金属线的目标层。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN201710173639.3有效
发明人： 陈志壕;游大庆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体结构的制造方法包含在导电部件上形成介电层，在介电层上形成具有第一开口的第一掩模。在第一掩模上形成第二掩模，在第二掩模上形成具有第二开口的第三掩模。在第三掩模上形成具有第三开口的第四掩模，第三开口的一部分与第二开口重叠。将第三开口的此部分转移至第二掩模以形成第四开口，第四开口的一部分与第一开口重叠。将第四开口的此部分转移至介电层以形成第五开口。第五开口延伸至介电层中以形成延伸的第五开口，延伸的第五开口暴露出导电部件，将导电材料填入延伸的第五开口。
半导体结构制造方法

[发明专利]多重图案化方法-CN201810271979.4有效
发明人：范振豊;陈志壕;陈文彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：描述了半导体工艺中用于图案化的方法。形成其中具有切口的伪层。在伪层上方形成第一牺牲层，并且第一牺牲层的至少部分设置在切口中。在第一牺牲层上方形成第二牺牲层。将第二牺牲层图案化为具有第一图案。使用第二牺牲层的第一图案，将第一牺牲层图案化为具有第一图案。去除第二牺牲层。之后，包括改变第一牺牲层的第一图案的尺寸来在第一牺牲层中形成第二图案。使用第一牺牲层的第二图案，图案化伪层。沿着图案化的伪层的相应的侧壁形成掩模部分。使用掩模部分形成掩模。本发明的实施例还涉及多重图案化方法。
多重图案方法

[实用新型]一种无脚手架施工用的头顶保护装置-CN202022158348.7有效
发明人：毛玮;陈志壕;唐晓晖 -专利权人：菱王电梯股份有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： E04G21/32 文献下载
摘要：本实用新型提出一种无脚手架施工用的头顶保护装置，包括：支撑架、伞形保护架；所述支撑架包括四根竖伸缩杆和两根横伸缩杆，所述横伸缩杆设置于相邻两根所述竖伸缩杆之间，且所述横伸缩杆和所述竖伸缩杆垂直设置；所述伞形保护架包括两个挡板架，两个所述挡板架相互靠近的一侧铰接连接，两个所述挡板架另一侧分别与所述横伸缩杆的两端铰接连接；本实用新型可以对所述支撑架进行高度和横向长度的调节，使得所述头顶保护装置可以适应不同尺寸的施工场合，具有较高的可调节性和适应性。
一种脚手架施工头顶保护装置

[发明专利]用于形成具有笔直轮廓的通孔的多重图案化-CN201611091047.9有效
发明人：陈濬凯;许仲豪;周家政;柯忠祁;李资良;陈志壕;潘兴强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种方法包括在第一硬掩模层上方形成含碳层，含碳层具有大于约25％的碳原子百分比；在含碳层上方形成覆盖层；在覆盖层上方形成第一光刻胶；和将第一光刻胶用作第一蚀刻掩模，蚀刻覆盖层和含碳层。然后，去除第一光刻胶。在覆盖层上方形成第二光刻胶。将第二光刻胶用作第二蚀刻掩模，蚀刻覆盖层和含碳层。去除第二光刻胶。将含碳层用作蚀刻掩模，蚀刻位于含碳层下方的第三光刻胶。将第三光刻胶用作蚀刻掩模蚀刻位于第三光刻胶下面的介电层以形成通孔开口。用导电材料填充通孔开口。本发明实施例涉及用于形成具有笔直轮廓的通孔的多重图案化。
用于形成具有笔直轮廓多重图案

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201510569363.1有效
发明人：洪雨利;孔德明;陈志壕;陈科维;王英郎;张宏睿;曾鸿輝 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-09-09 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造半导体器件的方法。方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中至少部分地形成导电区；在衬底上方形成介电层；在介电层上方形成硬掩模，硬掩模具有位于导电区上方的开口；通过第一蚀刻气体干蚀刻介电层以形成凹进的部件，其中，因此在凹进的部件的底部处暴露出导电区的表面，并且在凹进的部件的内表面处形成副产物膜；以及通过第二蚀刻气体干蚀刻介电层，其中，第二蚀刻气体与副产物膜和导电区化学反应，并且因此在凹进的部件的底部周围构建牺牲层。本发明还涉及制造半导体器件的干蚀刻气体和方法。
制造半导体器件蚀刻气体方法

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